[發明專利]溢出通路

有效

• 申請號: 201410182703.0
• 申請日: 2014-03-05
• 公開（公告）號: CN104332448B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: P·阿赫馬達;E·A·賽卡達;M·科瓦;J·C·岡薩雷茲;O·G·洛佩茲
• 申請（專利權）人: 弗萊克斯電子有限責任公司
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/16;H01L21/54
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種半導體裝置，包括：

a.計算芯片，其與印刷電路板物理聯結；以及

b.計算芯片主體上的第一流體通道，其與所述印刷電路板上的第二流體通道聯結以形成連接的流體通道，從而允許流體從所述計算芯片下方的空間流出至所述印刷電路板。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述流體包括焊劑。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述流體包括大量氣體。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述流體是在施加熱時產生的。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述熱是在回流工藝中施加的。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述流體通道包括卸壓機構。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述計算芯片包括底部終端組件。

8.一種半導體組件，包括位于印刷電路板主體上的第一流體壓力卸壓結構，所述第一流體壓力卸壓結構與計算芯片主體上的第二流體壓力卸壓結構流體地聯結，從而允許流體從所述計算芯片下方的空間流出至所述印刷電路板。

9.根據權利要求8所述的組件，其中，所述第一流體壓力卸壓結構和所述第二流體壓力卸壓結構包括一個或多個流體通道。

10.根據權利要求9所述的組件，其中，所述一個或多個流體通道在所述半導體組件的拐角處。

11.根據權利要求9所述的組件，其中，所述一個或多個流體通道在所述半導體組件的側邊處。

12.根據權利要求8所述的組件，其中，所述組件包括雙平面無引線(DFN)、平面網格陣列(LGA)或縮回式四方扁平無引線(PQFN)。

13.根據權利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是在施加熱時產生的。

14.根據權利要求13所述的組件，其中，所述熱包括回流工藝。

15.根據權利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是由所述組件內的大量氣體產生的。

16.根據權利要求8所述的組件，其中，所述流體壓力是由所述組件內的大量焊劑產生的。

17.一種防止在半導體封裝中建立壓力的方法，包括：

a.在半導體封裝中提供一個或多個孔；

b.在印刷電路板上提供與所述半導體封裝中的所述一個或多個孔聯結的壓力卸壓結構；以及

c.在施加熱時允許流體從所述半導體封裝中的所述一個或多個孔被釋出至所述印刷電路板上的所述壓力卸壓結構。

18.根據權利要求17所述的方法，其中，所述孔包括通道。

19.根據權利要求17所述的方法，其中，所述流體包括焊劑。

20.根據權利要求17所述的方法，其中，所述流體包括大量氣體。