[發明專利]一種高附著力工業化晶體硅太陽能電池鋁漿有效
| 申請號: | 201410182431.4 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN103972308A | 公開(公告)日: | 2014-08-06 |
| 發明(設計)人: | 謝于柳;易臻希;楊曉生;趙保星 | 申請(專利權)人: | 湖南紅太陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01B1/22 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 410205 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 附著力 工業化 晶體 太陽能電池 | ||
技術領域
本發明屬于晶硅光伏電池用電子漿料領域,涉及一種高附著力工業化晶體硅太陽能電池鋁漿料。
背景技術
隨著太陽能電池制造技術的發展,對鋁漿要求是,鋁漿有良好的印刷性、導電性、耐侯性和耐化學性能,可與正面銀漿、背面銀漿共燒結,燒結后硅片附著力好,硅片翹曲低,鋁模致密性好,無微裂紋,不起鋁珠,光電轉化率高。
目前,晶硅光伏電池行業為了節約材料、降低成本,硅片薄片化的趨勢愈加明顯,從而導致薄硅片的抗彎曲應力性能差,出現了引降低硅片厚度而帶來的翹曲問題。在背面鋁電極燒結形成后硅基片彎曲大,導致在組件生產過程中的碎片率增大。
申請人之前的發明專利,公開號CN102436865A,一種高光電環保型晶體硅太陽能電池鋁漿,具體提供了一種高光電環保型晶體硅太陽能電池鋁漿,其配方為:球形鋁粉60份-80份,鉍系玻璃粉0.5份-6份,無機添加劑0.5份-5份,有機載體15份-35份,有機添加劑0.5份-6份。混合均勻后,經三輥研磨機分散得粒度<20μm,粘度35-45pa.s的太陽能電池鋁漿。本發明制備的環保鋁漿為無鉛、汞、鉻、釩、鉈等重金屬離子,以及不含苯、甲醇以及他們的化合物等有害物質的環保電子漿料,性能優越,歐姆接觸好,電性能高。但是該專利并沒有重點研究鋁漿的背場剝離強度,目前常規鋁漿的背場剝離強度在20N,隨著組件廠家嚴格要求,部分廠家要求電池背場的附著力大于50N以上,有待研究一種新的鋁漿,使得鋁漿的背場剝離強度在50N以上。
發明內容
針對現有技術的不足,本申請旨在提供一種高附著力工業化晶體硅太陽能電池鋁漿。本發明采用環烷酸鋅作為添加劑,使鋁漿燒結后,背場更加均勻、光滑、致密,極大程度提高了鋁漿的粘附力,背場剝離強度在50N以上。
為解決上述技術問題,本發明所采用的技術方案是:
一種高附著力工業化晶體硅太陽能電池鋁漿,按照質量百分比計,組分和組分含量為:
優選,所述鋁粉中粒徑DN50≤6um,振實密度為1.30-1.48g/ml。
優選,所述玻璃粉為鉍系玻璃粉,軟化點在450℃-650℃,玻璃粉中粒徑Dn50≤5um。玻璃粉不含Pb、Cd、Hg、Cr、Tl等金屬或其化合物,符合歐盟的ROSH指令要求。
優選,所述鋁硅合金粉中硅含量≥11%,鋁硅合金粉中的中粒徑Dn50≤6um。更優選為廣州精研粉體公司生產的pf-001合金粉,硅含量為11%,合金粉的中粒徑Dn50≤6um;
優選,所述環烷酸中鋅有效成分≥8%,純度99%以上。
優選,所述有機載體為聚合物溶解于有機溶劑中形成透明均勻的有機載體;所述聚合物為乙基纖維素、松香改性甘油酯、松香改性酚醛樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂中的一種或幾種。
所述有機溶劑優選選自松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸機、醇脂十二、苯甲醇、檸檬酸三丁酯、二價酸酯(DBE)中的一種或幾種。
一種高附著力工業化晶體硅太陽能電池鋁漿的制備方法:將上述物料用強力攪拌機混合均勻后,經三輥研磨機分散至細度<20微米,得粘度25-32pa.s的晶體硅光伏電池鋁漿。
與現有技術相比,本發明的優勢在于:
1、所述鋁漿采用鋁硅合金粉,降低鋁漿系統的熱膨脹系數;
2、所述鋁漿采用環烷酸鋅作為有機添加劑,燒結后,鋁背場更加均勻、光滑細致,無掉粉等缺陷,背場剝離強度更高,在50N以上。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明做進一步的說明,實施例中所述百分比均是指質量百分含量。
一、鋁漿制備
1、玻璃粉制備
按照玻璃粉配方表1,將原料稱量好,用混料機中混合均勻后,投入到高鋁坩堝中,用廂式燒結爐300℃預熱30分鐘后,廂式燒結爐燒結2小時融化均勻后,投入到離子水中水淬,再用粉碎機粉碎到1mm左右玻璃體,最后行星球磨機球磨至5um,烘干后得所需鉍系玻璃粉;
表1玻璃粉配方w%
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





