[發(fā)明專利]顯示面板結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410182034.7 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105022195A | 公開(公告)日: | 2015-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林榮震 | 申請(專利權(quán))人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1339 | 分類號: | G02F1/1339;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民;張全信 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板結(jié)構(gòu),包括:
第一基板;
第二基板,與所述第一基板對應(yīng)設(shè)置;
至少一陣列,配置于所述第一基板與所述第二基板之間;
多數(shù)個液晶顯示單元,配置于所述陣列中;
多數(shù)第一框膠,分別環(huán)設(shè)于所述液晶顯示單元的外圍;以及
至少一第二框膠,連續(xù)環(huán)設(shè)于所述陣列外圍。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板結(jié)構(gòu),進一步包括:
至少一透明導(dǎo)電層,設(shè)置于所述第一基板或所述第二基板的外表面。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述透明導(dǎo)電層為一圖案化多晶透明導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其具有多數(shù)陣列及多數(shù)第二框膠,所述第二框膠配置于所述陣列之間。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠分別為二層環(huán)設(shè)的結(jié)構(gòu),并連續(xù)環(huán)設(shè)于對應(yīng)所述陣列外圍。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠配置于所述陣列與所述第一基板的邊緣之間。
7.如權(quán)利要求4所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠在所述陣列之間相間隔而形成十字狀的間隔區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠為二層環(huán)設(shè)的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠于所述陣列之間形成一井字狀。
10.如權(quán)利要求4所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述第二框膠在所述陣列之間相連接而形成十字狀。
11.如權(quán)利要求4所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中在所述陣列與所述第一基板的邊緣之間,所述第二框膠分別為二層結(jié)構(gòu),且在所述陣列之間,所述第二框膠分別為一層結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示面板結(jié)構(gòu),其中所述液晶顯示單元為邊緣電場切換式液晶顯示單元或平面切換式液晶顯示單元。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示面板結(jié)構(gòu),進一步包括:
一第三框膠,封閉所述第一基板與所述第二基板的外圍。
14.一種顯示面板結(jié)構(gòu)的制造方法,包括以下步驟:
在一第一基板上,將多數(shù)第一框膠分別環(huán)設(shè)于多數(shù)液晶顯示單元的外圍,以形成至少一陣列;
形成至少一第二框膠于所述第一基板上,并使所述第二框膠環(huán)設(shè)于所述陣列外圍;以及
將一第二基板與所述第一基板對應(yīng)貼合,以使所述第二框膠連結(jié)于所述第一基板與所述第二基板之間。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法,進一步包括一步驟:
形成一第三框膠封閉所述第一基板與所述第二基板的外圍。
16.如權(quán)利要求14所述的制造方法,進一步包括一步驟:
形成至少一透明導(dǎo)電層于所述第一基板或所述第二基板的外表面。
17.如權(quán)利要求16所述的制造方法,其中在形成至少一透明導(dǎo)電層的步驟時,所述透明導(dǎo)電層為一圖案化多晶透明導(dǎo)電層,所述圖案化多晶透明導(dǎo)電層是由一非晶透明導(dǎo)電層轉(zhuǎn)變而來。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法,其中形成至少一透明導(dǎo)電層的步驟時,包括以下步驟:
在所述第一基板或所述第二基板的表面上形成所述非晶透明導(dǎo)電層;
以一高能量脈沖圖案化所述非晶透明導(dǎo)電層,使所述圖案化的所述非晶透明導(dǎo)電層轉(zhuǎn)變成為所述圖案化多晶透明導(dǎo)電層;及
蝕刻去除所述未圖案化的所述非晶透明導(dǎo)電層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于瀚宇彩晶股份有限公司,未經(jīng)瀚宇彩晶股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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