[發(fā)明專利]支承單元和基板處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410181617.8
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN104134622B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金炯俊;金承奎
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 潘煒,田軍鋒

技術(shù)領(lǐng)域

此處所公開的本發(fā)明涉及支承單元和基板處理設(shè)備，并且更具體地涉及支承單元以及利用等離子的基板處理設(shè)備。

背景技術(shù)

為了制造半導(dǎo)體裝置，可以在基板上執(zhí)行諸如影印石板術(shù)、刻蝕、灰化、離子注入、薄膜氣相沉積以及清潔之類的各種過程以在基板上形成所需的圖案。在這些過程之中，刻蝕過程為用于移除形成在基板上的薄膜的選擇加熱區(qū)域的過程并且包括濕法刻蝕和干法刻蝕。

為了執(zhí)行干法刻蝕，使用利用等離子的刻蝕設(shè)備。通常，為了形成等離子，電磁場形成在室的內(nèi)部空間中并且將設(shè)置在室中的處理氣體激發(fā)成處于等離子狀態(tài)。

等離子表示由離子、電子以及自由基形成的電離氣體的狀態(tài)。等離子通過非常高的溫度、強電場或射頻(RF)電磁場來產(chǎn)生。在制造半導(dǎo)體裝置的過程中，刻蝕過程通過利用等離子來執(zhí)行。刻蝕過程由于包括在等離子中的與基板碰撞的離子粒子來實現(xiàn)。

通常，為了在基板處理過程期間控制基板的溫度，加熱單元設(shè)置在支承單元中。加熱單元在分成多個加熱區(qū)域的同時設(shè)置在基板支承構(gòu)件中，從而控制用于基板的每個加熱區(qū)域的溫度。對于每個加熱區(qū)域而言，當(dāng)加熱單元設(shè)置為多個加熱單元時，由于必須向所述多個加熱單元分別提供電力，因此設(shè)置了連接至外部電源的多個端子。此處，相應(yīng)的端子形成在與基板的相應(yīng)的加熱區(qū)域?qū)?yīng)的位置上。圖1為一般的靜電吸盤1250。參照圖1，中央部和邊緣部分別包括一對端子1251a和1252a。設(shè)置有端子1251a和1252a的加熱區(qū)域A比沒有設(shè)置端子1251a和1252a的加熱區(qū)域B設(shè)置有更高的溫度。因此，難以均勻地控制加熱區(qū)域A和加熱區(qū)域B的溫度。由于此，基板的溫度不能被控制成處于預(yù)先設(shè)定的溫度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種基板處理設(shè)備，該基板處理設(shè)備包括能夠在基板處理過程期間精確地控制基板的溫度的支承單元。

本發(fā)明的效果不限于以上所描述的，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將很清楚地從說明書和附圖中地理解到以上沒有提到的效果。

本發(fā)明的實施方式提供了一種支承基板的支承單元，該支承單元包括本體和加熱單元，其中，該本體包括多個加熱區(qū)域，并且在該本體的頂部表面上設(shè)置有基板，該加熱單元加熱本體。此處，加熱單元包括加熱線路、端子以及連接線路，其中，該加熱線路分別設(shè)置在多個加熱區(qū)域中以彼此獨立地控制多個加熱區(qū)域的溫度，該端子設(shè)置至本體并接收來自外部的電力，該連接線路將加熱線路彼此互相對應(yīng)地連接至端子。另外，端子在俯視圖中設(shè)置在多個加熱區(qū)域中的一個加熱區(qū)域中。

在某些實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的多個邊緣部，并且端子可以設(shè)置在中央部中。

在其他實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個邊緣部，并且，端子可以設(shè)置在中央部中。

仍然在其他實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個或多個邊緣部，并且，端子可以設(shè)置在中央部中。

還在其他實施方式中，連接線路可以設(shè)置至本體。

還在其他實施方式中，本體還可以包括用于冷卻本體的冷卻流動通道。

在另外的實施方式中，所述多個端子可以設(shè)置成在俯視圖中與冷卻流動通道重疊。

在本發(fā)明的其他實施方式中，基板處理設(shè)備包括：形成有內(nèi)部空間的室；支承單元，該支承單元位于室中并支承基板；氣體供給單元，該氣體供給單元將處理氣體供給到室中；以及等離子源單元，該等離子源單元通過處理氣體產(chǎn)生等離子。此處，該支承單元包括本體和加熱單元，其中，該本體包括多個加熱區(qū)域并且在該本體的頂部表面上設(shè)置有基板，該加熱單元加熱本體。另外，該加熱單元包括：加熱線路，該加熱線路分別設(shè)置在多個加熱區(qū)域中以彼此獨立地控制多個加熱區(qū)域的溫度；端子，該端子設(shè)置至本體并接收來自外部的電力；以及連接線路，該連接線路將加熱線路彼此互相對應(yīng)地連接至端子。另外，端子在俯視圖中設(shè)置在所述多個加熱區(qū)域中的一個加熱區(qū)域中。

在某些實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的多個邊緣部，并且，端子可以設(shè)置在中央部中。

在其他實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個邊緣部，并且端子可以設(shè)置在中央部中。

仍然在其他實施方式中，所述多個加熱區(qū)域可以包括中央部以及圍繞該中央部的一個或多個邊緣部，并且，端子可以設(shè)置在中央部中。

還在其他實施方式中，連接線路可以設(shè)置至本體。

還在其他實施方式中，本體還可以包括用于冷卻本體的冷卻流動通道。