[發明專利]一種楔型表面等離子體波導

無效

• 申請號: 201410180732.3
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN103955022A
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 陳明;童秀倩;李海鷗;尚軍萍;陳輝
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 歐陽波

1.一種楔型表面等離子體波導，包括長條的金屬基底(1)和其上的長度與金屬基底(1)相同的、橫截面為三角形的金屬楔(2)，所述金屬基底(1)和金屬楔(2)為低損耗金屬材料制作，其特征在于：

所述金屬楔(2的尖端附著介質層(3)，介質層(3)外部為真空包圍，即該波導置于真空環境(4)中。

2.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述金屬楔(2)橫截面的三角形的三個角均為銳角。

3.根據權利要求2所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述金屬楔(2)頂部尖端角度(θ)為30～40度。

4.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述低損耗金屬材料為銀、銅、金、鋁中的任一種。

5.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述低損耗金屬材料為銀。

6.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述介質層(3)為二氧化硅、或硅、或氟化鎂。

7.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述介質層(3)附著于金屬楔(2)兩側面，金屬楔(2)兩側面上附著的介質層(3)外表面為平面。

8.根據權利要求7所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述介質層(3)外表面的交角小于金屬楔(2)尖端的角度(θ)，金屬楔(2)兩側面上的介質層(3)由上至下逐漸減薄。

9.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述金屬楔(2)的高度h≥1.3μm。

10.根據權利要求1所述的楔型表面等離子體波導，其特征在于：

所述金屬楔(2)尖端的介質層(3)厚度為T_h，5nm≤T_h≤500nm。