[發(fā)明專利]工藝腔室檢測裝置及檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410180605.3
• 申請(qǐng)日: 2014-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN105097603B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙可可
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉

1.一種工藝腔室檢測裝置，其特征在于，在所述工藝腔室中設(shè)置有檢測所述工藝腔室中工藝環(huán)境的裝置，所述裝置包括檢測器和檢測電路；所述檢測電路包括穩(wěn)壓電源和測試電阻，所述穩(wěn)壓電源的一端接地，所述穩(wěn)壓電源的另一端與所述測試電阻的一端電連接；所述測試電阻的另一端與所述檢測器電連接；所述檢測器置于所述工藝腔室的腔體的內(nèi)部，所述檢測器用于檢測所述工藝腔室內(nèi)的離子流密度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測器的檢測點(diǎn)位于放置在所述工藝腔室中的晶圓的附近，且所述檢測器的檢測點(diǎn)與放置在所述工藝腔室中的晶圓的上表面處于同一水平面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述工藝腔室包括固定所述晶圓的環(huán)形壓邊；在所述環(huán)形壓邊的上表面設(shè)置凹槽；所述檢測器放置在所述環(huán)形壓邊的凹槽內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述凹槽與所述環(huán)形壓邊的內(nèi)環(huán)的距離為0.5cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測器為檢測探針或環(huán)形檢測線圈，所述檢測器為金屬材質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于， 所述檢測器為檢測線圈，所述凹槽為環(huán)形凹槽，且所述凹槽與所述環(huán)形壓邊同軸設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測線圈的直徑為0.6mm至0.8mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測器為檢測探針，所述檢測探針在所述凹槽內(nèi)的高度為0.7mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測探針為直徑為0.8mm至1.2mm的圓柱形金屬探針。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓電源的正極接地，負(fù)極與所述測試電阻電連接，且所述穩(wěn)壓電源的的輸出電壓小于或等于-40伏。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室檢測裝置，其特征在于，所述檢測電路還包括濾波器，所述濾波器的一端連接到所述測試電阻，另一端連接到所述檢測器。

12.一種檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的方法，其特征在于，所述方法采用一種檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的裝置，所述裝置包括檢測器和檢測電路；所述檢測電路包括穩(wěn)壓電源和測試電阻，所述穩(wěn)壓電源的一端接地，所述穩(wěn)壓電源的另一端與所述測試電阻的一端電連接；所述測試電阻的另一端與所述檢測器電連接；所述方法的工作步驟如下：

將所述檢測器置于所述工藝腔室的腔體的內(nèi)部；

開始工藝，在工藝腔室中激發(fā)產(chǎn)生等離子體后，測量測試電阻兩端的電壓；

然后根據(jù)測得的所述電壓計(jì)算所述工藝腔室內(nèi)離子流的密度，與離子流的密度的正常值范圍進(jìn)行比對(duì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的方法，其特征在于，當(dāng)離子流的密度高于正常值范圍時(shí)，停止工藝。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的方法，其特征在于，測量所述測試電阻兩端的電壓后，根據(jù)以下公式計(jì)算離子流的密度，

，其中，V為所述測試電阻兩端的電壓，R為所述測試電阻的阻值，S為檢測器的檢測點(diǎn)的表面積。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測工藝腔室中工藝環(huán)境的方法，其特征在于，所述離子流的密度的正常值范圍為0.1 uA/cm²～0.25 uA/cm²。