[發明專利]共軛式三相電抗器的設計方法有效
| 申請號： | 201410179851.7 | 申請日： | 2014-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN103996490B | 公開（公告）日： | 2017-02-22 |
| 發明（設計）人： | 陳錦棠;方木松 | 申請（專利權）人： | 東莞市光華實業有限公司 |
| 主分類號： | H01F17/04 | 分類號： | H01F17/04;H01F27/24;H01F27/30 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司35203 | 代理人： | 徐勛夫 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市石龍鎮黃*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 共軛 三相 電抗 設計 方法 | ||
1.一種共軛式三相光伏電抗器的設計方法，其特征在于：選擇上軛、上芯柱、中軛、下芯柱、下軛構成一框架，該上芯柱位于上軛與中軛之間，該下芯柱位于下軛與中軛之間，并于上芯柱和下芯柱上分別對應繞制第一線圈、第二線圈，其中由下軛、下芯柱、第二線圈和前述中軛共同構成三相主電抗器，由上軛、上芯柱、第一線圈和中軛共同構成三相付電抗器，所述主電抗器和付電抗器產生磁通在中軛上得以部分抵消，所述主電抗器、付電抗器所通過的額定電流IL相同，且該主電抗器的電感是付電抗器的電感兩倍，所述主電抗器的磁感應強度BZ設定在0.8T-1.04T之間，所述付電抗器的磁感應強度BZ設定在1.1T-1.25T之間,所述第二線圈的匝數N2大于第一線圈匝數N1，所述下軛截面積為S1，所述中軛截面積為S2，依據S2=M*S1*1.2設計中軛截面積，M為中軛上抵消后剩下磁通Φ1/下軛上磁通Φ2。
2.根據權利要求1所述共軛式三相光伏電抗器的設計方法，其特征在于：所述中軛上抵消后剩下磁通依據Φ1=K*（N2-N1）*IL得出，所述下軛上磁通依據Φ2=K*N2*IL得出，其中K-磁通與NI轉換系數。
3.根據權利要求1所述共軛式三相光伏電抗器的設計方法，其特征在于：所述上芯柱為無取向硅鋼片，所述下芯柱為取向硅鋼片。
4.根據權利要求1所述共軛式三相光伏電抗器的設計方法，其特征在于：所述主電抗器為0.1mH/1100A三相電抗器，所述付電抗器為0.05mH/1100A三相電抗器。
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