[發明專利]一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法

在審

• 申請號: 201410179686.5
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN103943463A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 夏國棟;王素梅
• 申請（專利權）人: 齊魯工業大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 張貴賓

1.一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)?合成單源前驅體：采用沉淀法合成單源黃原酸鎘前驅體；

(2)?制備前驅體溶液：將單源黃原酸鎘前驅體溶解在吡啶或含吡啶基團溶劑中，制備出均勻的濃度為0.01-2.5g/ml的黃原酸鎘前驅體溶液；

(3)?制備硫化鎘薄膜：將黃原酸鎘前驅體溶液涂覆到清洗好的襯底上形成前驅體薄膜，然后經過一定溫度、時間和氣氛的退火，就可得到硫化鎘薄膜或顆粒層。

2.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述單源黃原酸鎘前驅體為不同鏈長的烷基，即乙基黃原酸鎘、丙基黃原酸鎘、異丙基黃原酸鎘、丁基黃原酸鎘、異丁基黃原酸鎘、叔丁基黃原酸鎘、戊基黃原酸鎘、異戊基黃原酸鎘和叔戊基黃原酸鎘中的一種或幾種。

3.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述沉淀法合成黃原酸鎘前驅體，是由黃原酸鈉或黃原酸鉀與可溶的鎘鹽反應生成黃原酸鎘沉淀，過濾、洗劑、干燥得單源黃原酸鎘前驅體。

4.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述單源黃原酸鎘前驅體也可采用有機合成方法制備。

5.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述退火溫度為110-350?℃，退火時間為5-120分鐘，?退火氣氛為空氣、真空、氮氣、氬氣、氫氣中的一種或幾種。

6.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述涂覆方法為旋轉涂覆法、滴涂法、浸涂法、噴霧法或噴墨打印法。

7.根據權利要求1所述的一種硫化鎘半導體薄膜的簡單高效制備方法，其特征在于：所述襯底為剛性襯底，如玻璃片、硅片；或柔性襯底，如金屬片、塑料片；或多孔材料，如多孔的氧化鈦、氧化鋁。