[發明專利]一種單方向發射的光泵浦氮化鎵微激光器及其制備方法

在審

• 申請號: 201410179543.4
• 申請日: 2014-04-30
• 公開（公告）號: CN104009394A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 朱剛毅;王永進;李欣;施政
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/10
• 代理公司: 江蘇愛信律師事務所 32241
• 代理人: 劉琦

1.一種單方向發射的光泵浦氮化鎵微激光器，其特征在于，該器件以硅基氮化物晶片為載體，包括硅襯底層（1）、設置在所述硅襯底層（1）上表面一側邊緣的氮化鎵平臺、與所述氮化鎵平臺連接的氮化鎵懸臂梁、與所述氮化鎵懸臂梁連接的非對稱薄膜微腔結構，所述非對稱薄膜微腔結構下方設置有貫穿硅襯底層（1）的空腔，使得非對稱薄膜微腔結構和氮化鎵懸臂梁完全懸空；?

所述非對稱薄膜微腔結構由氮化鎵構成，包括圓形或圓環形的本體、設置在所述本體周向外側的突出錐角，所述突出錐角由本體圓周切線、本體圓周上弧線和本體外的弧線圍成，所述本體外的弧線與本體圓周相交的夾角為銳角。

2.一種制備權利要求1所述單方向發射的光泵浦氮化鎵微激光器的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

第一步：在硅基氮化鎵晶片的氮化鎵層（2）上表面旋涂光刻膠，然后采用光學光刻技術在旋涂的光刻膠層上定義如權利要求1所述的非對稱薄膜微腔結構和懸臂梁；

第二步：采用刻蝕技術向下刻蝕，直至硅襯底層（1）的上表面，從而將所述第一步中定義出的非對稱薄膜微腔結構和懸臂梁轉移至硅基氮化鎵晶片的氮化鎵層（2）中，最后去除殘余的光刻膠；?

第三步：在硅基氮化鎵晶片上下表面分別旋涂光刻膠，然后采用光學光刻技術在硅襯底層（1）下表面的光刻膠層中定義出空腔區域的刻蝕窗口；

第四步，采用深硅刻蝕技術，通過所述刻蝕窗口從下往上刻蝕硅襯底層（1），直至氮化鎵層（2）的下表面，在硅襯底層（1）中形成一個空腔，使非對稱薄膜微腔結構和懸臂梁懸空。