[發(fā)明專利]多晶硅發(fā)射極垂直NPN晶體管的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410179392.2 | 申請日： | 2014-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN105097506B | 公開（公告）日： | 2018-11-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡金節(jié);肖魁 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 發(fā)射極 垂直 npn 晶體管 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種多晶硅發(fā)射極垂直NPN晶體管的制造方法，包括下列步驟：
在晶圓上形成集電區(qū)和基區(qū)；
淀積絕緣介質(zhì)層；
在絕緣介質(zhì)層上光刻并刻蝕出發(fā)射區(qū)域；
淀積多晶硅，位于所述發(fā)射區(qū)域的多晶硅與基區(qū)的單晶硅直接接觸；
對晶圓進行熱退火，退火溫度為900～950攝氏度，退火時間為15～30分鐘；
對發(fā)射區(qū)域的多晶硅進行摻雜；
進行熱退火使得多晶硅中的雜質(zhì)擴散到基區(qū)的單晶硅中，形成發(fā)射結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅發(fā)射極垂直NPN晶體管的制造方法，其特征在于，所述對發(fā)射區(qū)域的多晶硅進行摻雜的步驟，是注入砷元素進行注入摻雜。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
