[發明專利]低溫度系數的片上電阻有效
| 申請號： | 201410179256.3 | 申請日： | 2014-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN103926969A | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發明（設計）人： | 夏波 | 申請（專利權）人： | 無錫中星微電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溫度 系數 電阻 | ||
1.一種片上電阻，其特征在于，其包括：
基底；
形成于所述基底上的電阻，其具有第一連接端和第二連接端；
形成于所述基底上的開關電容，其包括第一開關、第二開關和電容單元，第一開關的一端與電容單元的第一連接端相連，另一端與所述電阻的第一連接端相連，第二開關的一端與所述電容單元的第一連接端相連，另一端與所述電容單元的第二連接端相連，所述電容的第二連接端與所述電阻的第二連接端相連；
所述電阻和所述電容單元具有同相的溫度系數。
2.根據權利要求1所述的片上電阻，其特征在于，所述電阻和所述開關電容共同形成復合電阻單元，所述復合電阻單元具有低于所述電阻的溫度系數，
所述電阻和所述電容單元同為負溫度系數或正溫度系數。
3.根據權利要求1所述的片上電阻，其特征在于，所述電阻為多晶硅、N阱或擴散電阻，所述電容單元為金屬-絕緣-金屬或金屬-氧化層-金屬電容。
4.根據權利要求1所述的片上電阻，其特征在于，所述電阻和所述電容單元的比例為：
PT_poly是所述電阻的溫度系數，PT_C是所述電容單元的溫度系數，T0為溫度，
Rpoly(T0)為溫度為T0時所述電阻的電阻值，C(T0)為溫度為T0時所述電容單元的電容值，f為第一開關和第二開關的開關頻率。
5.根據權利要求1所述的片上電阻，其特征在于，其采用納米級別的CMOS工藝制造而成。
6.根據權利要求1所述的片上電阻，其特征在于，第一開關導通時，第二開關截止；第二開關導通時，第一開關截止。
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