[發(fā)明專利]無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410179187.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103956326B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王惠娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/538
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 路凱,胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)接板集成技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板。

背景技術(shù)

在先進(jìn)封裝中，各種轉(zhuǎn)接板技術(shù)，例如基于硅通孔的硅基轉(zhuǎn)接板，還有玻璃轉(zhuǎn)接板都應(yīng)用地越來(lái)越多。然而，由于單純只有通孔的用于互聯(lián)的轉(zhuǎn)接板越來(lái)越不能夠滿足先進(jìn)的電子產(chǎn)品要求，因此，應(yīng)用于先進(jìn)封裝中的轉(zhuǎn)接板都會(huì)集成相應(yīng)的無(wú)源模塊，以滿足小型化的電學(xué)性能的要求。這樣自然會(huì)形成多種無(wú)源模塊的集成方法，以實(shí)現(xiàn)將無(wú)源模塊集成在轉(zhuǎn)接板上。

以硅轉(zhuǎn)接板為例，現(xiàn)有的技術(shù)，一種集成方法是在前道工藝中先制作TSV(Through-Silicon-Via，硅通孔)互聯(lián)結(jié)構(gòu)，然后在轉(zhuǎn)接板表面制作無(wú)源模塊。這種集成方法制得的無(wú)源模塊具有高Q(或稱高品質(zhì)因數(shù))和高質(zhì)量，但是集成成本較高；另一種集成方法是在后道工藝中先做好轉(zhuǎn)接板上的無(wú)源模塊，再制作TSV互聯(lián)結(jié)構(gòu)，并且都是在轉(zhuǎn)接板的同一面進(jìn)行制作，這種方法制作的無(wú)源模塊很難具有高Q和高質(zhì)量，導(dǎo)致無(wú)源模塊的可靠性低，并且工藝難度大。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法及所對(duì)應(yīng)的無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中單純采用前道工藝集成無(wú)源模塊和通孔連接導(dǎo)致集成成本較高以及單純采用后道工藝集成無(wú)源模塊和通孔連接導(dǎo)致無(wú)源模塊的可靠性低且工藝難度大的技術(shù)問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法，包括：

采用前道工藝，在轉(zhuǎn)接板的第一表面上形成第一絕緣層；

采用前道工藝，在第一絕緣層中形成無(wú)源模塊及無(wú)源模塊的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)包括第一金屬電極；

采用后道工藝，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，其中，所述第一凸點(diǎn)與所述第一金屬電極直接接觸；

將所述轉(zhuǎn)接板倒置，從與所述第一表面相對(duì)的第二表面將所述轉(zhuǎn)接板減薄至預(yù)定的厚度，并從減薄后的所述轉(zhuǎn)接板的第二表面沿縱向刻蝕所述轉(zhuǎn)接板、所述第一絕緣層至所述第一金屬電極，形成通孔；

在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)；

在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層以及在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，其中，所述第二凸點(diǎn)與所述第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)直接接觸。

進(jìn)一步地，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)之后，還包括：

在所述第一凸點(diǎn)上固定一鍵合片。

進(jìn)一步地，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)之后，還包括：

去除所述鍵合片。

進(jìn)一步地，在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層和第一凸點(diǎn)，包括：

在所述第一絕緣層上形成第一鈍化層；

對(duì)所述第一鈍化層進(jìn)行光刻，以露出部分所述第一金屬電極；

在露出的部分所述第一金屬電極上形成第一凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，在所述通孔中形成第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括：

在所述通孔的側(cè)壁上形成線性層；

在形成所述線性層的通孔中填充導(dǎo)電材料，形成導(dǎo)電層。

進(jìn)一步地，在所述第二表面上形成包括第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)的互聯(lián)層，包括：

在所述第二表面上形成第二絕緣層；以及

在所述第二絕緣層中形成包括第二金屬電極和第三金屬電極的第三互聯(lián)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二金屬電極將所述第二互聯(lián)結(jié)構(gòu)和所述第三金屬電極連接起來(lái)。

進(jìn)一步地，在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層和第二凸點(diǎn)，包括：

在所述互聯(lián)層上形成第二鈍化層；

對(duì)所述第二鈍化層進(jìn)行光刻，露出部分所述第三金屬電極；

在露出的部分所述第三金屬電極上形成第二凸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，所述預(yù)定的厚度為50μm到500μm。

進(jìn)一步地，所述轉(zhuǎn)接板的材料包括：硅、玻璃和陶瓷。

進(jìn)一步地，所述無(wú)源模塊包括電阻、電容和電感及其陣列以及由電阻、電容和電感組成的濾波器、耦合器和功分器。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板，所述無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板由上述第一方面所述的無(wú)源集成轉(zhuǎn)接板的制作方法制得。