[發(fā)明專利]一種制造半導(dǎo)體材料的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410178882.0
• 申請(qǐng)日: 2014-04-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103972382A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李世彬;余宏萍;張鵬;王建波;楊亞杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L43/14
• 分類號(hào): H01L43/14
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造半導(dǎo)體材料的方法，其特征在于，包括：

對(duì)襯底基片進(jìn)行預(yù)處理；

將預(yù)處理后的所述襯底基片置于反應(yīng)室中，將三甲基鋁作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第一溫度下反應(yīng)，在所述襯底基片上生長(zhǎng)形成具有第一厚度的第一氮化鋁層；

將三甲基鎵作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第二溫度下反應(yīng)，在所述第一氮化鋁層上生長(zhǎng)形成具有第二厚度的氮化鎵層；

將三甲基鋁作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第三溫度下反應(yīng)，在所述氮化鎵層上生長(zhǎng)形成具有第三厚度的第二氮化鋁層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一溫度為960至1000攝氏度。

3.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述第二溫度為900至920攝氏度。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述第三溫度為960至1000攝氏度。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述對(duì)襯底基片進(jìn)行預(yù)處理的步驟包括：

在480至500攝氏度下在所述襯底基片上沉積氮化鋁緩沖層；

將沉積了所述氮化鋁緩沖層之后的所述襯底基片在980至1000攝氏度下退火5分鐘。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在沉積所述氮化鋁緩沖層的步驟之前還包括：在氫氣和氨氣混合氣氛下，在980至1000攝氏度下對(duì)所述襯底基片進(jìn)行氮化處理。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述襯底基片進(jìn)行氮化處理的步驟之前還包括：在氫氣氣氛下在960至980攝氏度下對(duì)所述襯底基片進(jìn)行熱處理10分鐘。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述襯底基片進(jìn)行熱處理的步驟之前還包括：清洗所述襯底基片。

9.如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述第一厚度為1至25納米，所述第三厚度為1至25納米。

10.如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于：所述第二厚度為0.2至10納米。