[發(fā)明專利]一種制造半導(dǎo)體材料的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410178882.0 | 申請日： | 2014-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN103972382A | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李世彬;余宏萍;張鵬;王建波;楊亞杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L43/14 | 分類號： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制造 半導(dǎo)體材料 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體材料的方法，其特征在于，包括：
對襯底基片進(jìn)行預(yù)處理；
將預(yù)處理后的所述襯底基片置于反應(yīng)室中，將三甲基鋁作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第一溫度下反應(yīng)，在所述襯底基片上生長形成具有第一厚度的第一氮化鋁層；
將三甲基鎵作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第二溫度下反應(yīng)，在所述第一氮化鋁層上生長形成具有第二厚度的氮化鎵層；
將三甲基鋁作為金屬源、氨氣作為V族源、氫氣作為載氣通入所述反應(yīng)室中，在第三溫度下反應(yīng)，在所述氮化鎵層上生長形成具有第三厚度的第二氮化鋁層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一溫度為960至1000攝氏度。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述第二溫度為900至920攝氏度。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于：所述第三溫度為960至1000攝氏度。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于，所述對襯底基片進(jìn)行預(yù)處理的步驟包括：
在480至500攝氏度下在所述襯底基片上沉積氮化鋁緩沖層；
將沉積了所述氮化鋁緩沖層之后的所述襯底基片在980至1000攝氏度下退火5分鐘。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在沉積所述氮化鋁緩沖層的步驟之前還包括：在氫氣和氨氣混合氣氛下，在980至1000攝氏度下對所述襯底基片進(jìn)行氮化處理。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在對所述襯底基片進(jìn)行氮化處理的步驟之前還包括：在氫氣氣氛下在960至980攝氏度下對所述襯底基片進(jìn)行熱處理10分鐘。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在對所述襯底基片進(jìn)行熱處理的步驟之前還包括：清洗所述襯底基片。
9.如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法，其特征在于：所述第一厚度為1至25納米，所述第三厚度為1至25納米。
10.如權(quán)利要求1至8中任意一項所述的方法，其特征在于：所述第二厚度為0.2至10納米。
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