[發明專利]用于光掩模等離子體蝕刻的方法和裝置有效
| 申請號: | 201410178214.8 | 申請日: | 2007-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN104035276B | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 艾杰伊·庫瑪;馬德哈唯·R·錢德拉養德;理查德·萊溫頓;達里恩·比文斯;阿米泰布·薩布哈維爾;希巴·J·潘納伊爾;艾倫·希羅什·奧葉 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | G03F1/80 | 分類號: | G03F1/80;C23F4/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 光掩模 等離子體 蝕刻 方法 裝置 | ||
1.一種等離子體蝕刻的裝置,包括:
工藝腔室;
設置在工藝腔室中的支撐底座,所述支撐底座在其上容納光掩模;
在所述腔室內形成等離子體的RF功率源;以及
在所述腔室中設置在所述底座上方的護板,所述護板包含一板,所述板具有兩個彼此獨立且相鄰的區域,每個區域都具有多個孔以及具有彼此不同的至少一種屬性,所述至少一種屬性是材料,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域各包含介電常數彼此不同且高于4的材料,并且所述區域用于從等離子體過濾離子以控制經過所述板的離子和中性物質的分布的改變,導致在蝕刻結果中的相應變化。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域的特征在于彼此不同的兩個開口面積,所述兩個開口面積由所述多個孔中的一個或多個孔來限定。
3.根據權利要求1所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域具有彼此不同的各自的電勢偏壓。
4.根據權利要求1所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域彼此物理性隔開。
5.根據權利要求3所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域的特征在于彼此不同的兩個開口面積,所述兩個開口面積由所述多個孔中的一個或多個孔來限定。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域在所述板上以楔形、同心環或柵格圖案的至少一種排列。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域的空間配置與特征為不同圖案密度的所述光掩模上的各自區域相關。
8.根據權利要求7所述的裝置,其中所述兩個彼此獨立且相鄰的區域具有彼此不同的電勢偏壓。
9.一種蝕刻光掩模的方法,包括:
提供具有支撐底座的工藝腔室;
在所述支撐底座上方提供護板,所述護板包含一板,所述板具有彼此獨立且相鄰的第一區域和第二區域,所述第一區域和所述第二區域每個都包含多個孔并用于從等離子體過濾離子以控制經過所述板的帶電和中性物質分布,所述第一區域的至少一種屬性不同于所述第二區域,所述至少一種屬性是材料,其中所述第一區域和第二區域包含介電常數彼此不同且高于4的介電常數的材料;
在所述底座上放置光掩模;
向所述工藝腔室中引入工藝氣體;
由所述工藝氣體形成等離子體;以及
改變經過所述板的離子和中性物質的分布,所述分布對應于所述第一區域和第二區域,導致用于所述光掩模的蝕刻結果的相應變化。
10.根據權利要求9所述的方法,其中所述第一區域和第二區域的材料選自由陽極化鋁和陶瓷所組成的組。
11.根據權利要求10所述的方法,所述陶瓷選自由氧化鋁和氧化釔所組成的組。
12.根據權利要求9所述的方法,進一步包括:
向所述第一區域施加不同于所述第二區域的電勢偏壓。
13.根據權利要求9所述的方法,進一步包括:
向所述第一區域提供不同于所述第二區域的第二開口面積的第一開口面積,所述第一開口面積和第二開口面積由各自區域中的所述多個孔限定。
14.根據權利要求9所述的方法,進一步包括:
在所述板上以楔形、同心環或柵格圖案之一提供所述第一區域和第二區域。
15.根據權利要求9所述的方法,其中所述板包含彼此獨立且相鄰的多個區域,所述多個區域的空間配置與特征為不同圖案密度的所述光掩模上的各自區域相關。
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