[發(fā)明專利]一種計算機硬盤盤基片的精拋光液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410178082.9
• 申請日: 2014-04-29
• 公開（公告）號: CN103937414B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李維民;陳杏輝
• 申請（專利權(quán)）人: 杰明納微電子股份有限公司;李維民
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司44217
• 代理人: 郭偉剛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種化學(xué)機械拋光的拋光液，具體的說是一種計算機硬盤盤基片的精拋光液。

背景技術(shù)

在計算機硬盤盤基片的工業(yè)生產(chǎn)中，隨著計算機向大容量、高轉(zhuǎn)速、小體積以及高密度方向的發(fā)展，磁頭與磁介質(zhì)之間的距離的減小，對硬盤盤基片的表面質(zhì)量要求也不斷提高，要求硬盤盤基片表面更加光滑、表面粗糙度更小，并且盤基片表面沒有任何缺陷。目前，化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP）是唯一可以實現(xiàn)計算機硬盤盤基片全局平坦化的拋光技術(shù)。

對于計算機硬盤盤基片拋光液的研究已有很多，例如US8404009B2公開了包括氧化鋁顆粒、二氧化硅顆粒、檸檬酸和水的硬盤基片的拋光組合物，中國專利CN101463230公開了包含磨料、帶羥基的一元或多元羥酸的拋光促進(jìn)劑和潤滑劑的硬盤片拋光組合物，中國專利CN1213118C公開了一種用于存儲器硬盤的磁盤基片拋光漿料，含有磨料、氧化劑、水，磷酸酯類水溶性潤滑劑和水溶性醇的拋光平衡劑，但這些拋光液在提高硬盤盤基片表面質(zhì)量方面還存在不足，亟需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種拋光速率高、拋光后硬盤盤基片表面光滑、平整的用于計算機硬盤盤基片的精拋光液。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：一種計算機硬盤盤基片的精拋光液，包括磨料、絡(luò)合劑、氧化劑、表面活性劑和水，上述各組分的重量百分含量為：磨料1%-10%，絡(luò)合劑0.1%-5%，氧化劑0.01%-5%，表面活性劑0.001%-1%，其余為水；所述表面活性劑為：具有協(xié)同增強效應(yīng)的陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑與非離子表面活性劑的組合物。

作為最優(yōu)的選擇，上述陰離子表面活性劑為十二烷基磺酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、脂肪酸甲酯聚氧乙烯醚磺酸鈉、仲烷基磺酸鈉、α-烯基磺酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉、異辛醇磷酸酯、月桂醇磷酸酯中的一種或多種的組合物；非離子表面活性劑為吐溫80、聚乙二醇400、聚乙烯吡絡(luò)烷酮、椰油脂肪酸單乙醇酰胺、烷基糖苷、異丙醇胺中的一種或多種的組合物；陽離子中，具有與非離子表面活性劑或陰離子表面活性劑混合產(chǎn)生協(xié)同增強效果的，同樣均包括在內(nèi)。

作為最優(yōu)的選擇，上述磨料為氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈰中的一種或多種的組合物，其粒徑為15-50nm，其中優(yōu)選氧化硅。

作為最優(yōu)的選擇，上述絡(luò)合劑為乳酸、甘氨酸、檸檬酸、甲酸、乙酸中的一種或多種的組合物。

其所用的氧化劑為雙氧水或過硫酸銨，所用的水優(yōu)選為去離子水或蒸餾水。

上述拋光液在配制過程中還需要pH值調(diào)節(jié)劑，可以選鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸中的一種或幾種的組合物，其含量確保拋光液的pH值維持在1.4-3.0之間。

有益效果：本發(fā)明的計算機硬盤盤基片的精拋光液采用新的配比，并同時采用能夠產(chǎn)生協(xié)同增強效應(yīng)的陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑與非離子表面活性劑的組合物，所制得的精拋光液，經(jīng)試驗發(fā)現(xiàn)，其效果要優(yōu)于兩種僅含有相應(yīng)單獨的表面活性劑的拋光液的效果，即產(chǎn)生了類似于1+1>2的效果，與傳統(tǒng)現(xiàn)有的拋光液相比，本發(fā)明由于在拋光液中采用了具有協(xié)同增強效應(yīng)的不同類型表面活性劑組合物，用其所制得的精拋光液拋光硬盤盤基片，拋光后的硬盤盤基片的表面光滑、平整、無劃痕，且保證硬盤盤基片高的去除速率。

本發(fā)明的精拋光液適用于計算機硬盤盤基片包括鍍鎳磷的鋁基片、玻璃基片以及其他表面鍍鎳磷材料的拋光。

附圖說明

圖1是沒有加入表面活性劑配制的拋光液拋光硬盤基片后的三維AFM圖；

圖2是沒有加入表面活性劑配制的拋光液拋光硬盤基片后的二維AFM圖；

圖3是加入一種表面活性劑配制的拋光液拋光硬盤基片后的三維AFM圖；

圖4是加入一種表面活性劑配制的拋光液拋光硬盤基片后的二維AFM圖；

圖5是使用本發(fā)明實施例四配制的拋光液拋光硬盤基片后的三維AFM圖；

圖6是使用本發(fā)明實施例四配制的拋光液拋光硬盤基片后的二維AFM圖。

具體實施方式

下面說明本發(fā)明的具體實施方式，計算機硬盤盤基片的精拋光液，包括磨料、絡(luò)合劑、氧化劑、表面活性劑和水，上述各組分的重量百分含量為：磨料1%-10%，絡(luò)合劑0.1%-5%，氧化劑0.01%-5%，表面活性劑0.001%-1%，其余為水；表面活性劑選用具有協(xié)同增強效應(yīng)的陰離子表面活性劑或陽離子表面活性劑與非離子表面活性劑的組合物。