[發明專利]元件封裝方法及其結構

有效

• 申請號: 201410177250.2
• 申請日: 2014-04-29
• 公開（公告）號: CN104882384A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 姜崇義;邱云貴
• 申請（專利權）人: 佳霖科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/31
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;王瑩

1.一種元件封裝方法，其特征在于，包括﹕

提供槽型基座以及蓋體，并在所述槽型基座的底部設置感測元件；

將所述蓋體覆蓋所述槽型基座，并在所述蓋體與所述槽型基座的邊緣部之間設置密封體；

使用鐳射照射所述槽型基座的所述邊緣部，以熔融所述密封體，使所述蓋體與所述邊緣部結合；以及

使所述蓋體與所述槽型基座之間的密封空間處于真空狀態。

2.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，所述感測元件為溫度感測器或紅外線熱影像器。

3.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，還包括在真空室中進行封裝。

4.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，所述槽型基座由陶瓷材料或半導體材料制成，所述蓋體由透光材料或玻璃材料制成。

5.如權利要求4所述的元件封裝方法，其特征在于，所述密封體為金屬合金材料。

6.如權利要求5所述的元件封裝方法，其特征在于，還包括:

在所述蓋體上設置第一黏著層以及在所述邊緣部設置第二黏著層；

當所述鐳射照射加熱時，所述密封體、所述第一黏著層以及所述第二黏著層被熔融而相融合。

7.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，還包括使用所述鐳射照射所述蓋體，以間接加熱所述密封體；或是使用所述鐳射穿過所述蓋體而直接照射所述密封體，以熔融所述密封體。

8.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，所述槽型基座還包括至少一抽氣孔，用以抽出所述密封空間中的氣體而形成所述真空狀態。

9.如權利要求8所述的元件封裝方法，其特征在于，所述至少一抽氣孔設置于所述鐳射照射的路徑上，當所述鐳射加熱熔融所述密封體時，所述至少一抽氣孔被封閉。

10.如權利要求9所述的元件封裝方法，其特征在于，所述至少一抽氣孔的上孔壁具有凹陷部，所述凹陷部用于容置固態材料，當所述鐳射加熱所述至少一抽氣孔的鄰近區域時，所述固態材料被熔融而封閉所述抽氣孔。

11.如權利要求9所述的元件封裝方法，其特征在于，所述至少一抽氣孔與所述邊緣部之間具有通孔，當所述鐳射加熱所述密封體時，熔融的所述密封體通過所述通孔流到所述抽氣孔中，凝固后封閉所述抽氣孔。

12.如權利要求1所述的元件封裝方法，其特征在于，還包括在所述蓋體的下表面、或是所述槽型基座的所述底部或內側壁設置或涂布吸氣劑。

13.如權利要求12所述的元件封裝方法，其特征在于，所述吸氣劑設置于所述下表面鄰近所述槽型基座的所述邊緣部位置，當所述鐳射照射所述邊緣部時，所述吸氣劑被加熱而活化以吸收氣體。

14.如權利要求12所述的元件封裝方法，其特征在于，還包括設置多個吸氣劑，將所述多個吸氣劑的一部分設置于鄰近所述邊緣部，而將所述多個吸氣劑的其余部分設置于遠離所述邊緣部，當所述鐳射照射所述邊緣部時，僅加熱活化鄰近于所述邊緣部的所述吸氣劑。

15.一種元件封裝結構，其特征在于，適用于鐳射真空封裝，包括﹕

感測元件；

槽型基座，所述感測元件設置于所述槽型基座的底部；

蓋體，覆蓋所述槽型基座；

密封體，設置于所述蓋體與所述槽型基座的邊緣部之間；

抽氣孔，設置于鄰近所述邊緣部，用以抽出所述蓋體與所述槽型基座之間形成的密封空間中的氣體以形成真空狀態，所述抽氣孔的上孔壁具有凹陷部，所述凹陷部用于容置固態材料。

16.如權利要求15所述的元件封裝結構，其特征在于，當鐳射照射所述邊緣部以加熱熔融所述密封體時，所述固態材料被熔融而封閉所述抽氣孔。

17.一種元件封裝結構，其特征在于，適用于鐳射真空封裝，包括﹕

感測元件；

槽型基座，所述感測元件是設置于所述槽型基座的底部；

蓋體，覆蓋所述槽型基座；

密封體，設置或涂布于所述蓋體與所述槽型基座的邊緣部之間；

吸氣劑，設置在所述蓋體的下表面、或是所述槽型基座的所述底部或內側壁，且鄰近所述邊緣部。