[發(fā)明專利]一種可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410176501.5 | 申請日： | 2014-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN103956540B | 公開（公告）日： | 2017-03-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳書明;張金英;寧希;池雅慶;梁斌 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍國防科學技術大學 |
| 主分類號： | H01P1/18 | 分類號： | H01P1/18;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周長清 |
| 地址： | 410073 湖南省長沙市開福區(qū)硯瓦池正街47號*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可抑制 高頻 輻射 損耗 微帶 介質 移相器 | ||
【權利要求書】：
1.一種可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，包括采用依次疊放布置的襯底（1）、參考地電極層（2）、電介質薄膜層（3）及傳輸線層（4），其特征在于，在所述襯底（1）、參考地電極層（2）、電介質薄膜層（3）和傳輸線層（4）中至少一層結構上設置光子晶體結構（7）。
2.根據權利要求1所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，所述光子晶體結構（7）由按照周期性規(guī)律變化的材料介質構成。
3.根據權利要求2所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，所述材料介質為孔（5）和/或柱體（6）。
4.根據權利要求3所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，所述孔（5）和柱體（6）為圓柱形、方柱形、三角柱形、六邊形柱體。
5.根據權利要求3所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，所述孔（5）和柱體（6）以等間距周期性或間距漸變方式排布。
6.根據權利要求3或4或5所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，相鄰所述孔（5）或所述柱體（6）之間的中心距離要小于或等于所屏蔽的電磁波波長的1/2。
7.根據權利要求3或4或5所述的可抑制高頻輻射損耗的微帶線介質移相器，其特征在于，所述孔（5）或所述柱體（6）的高度為光子晶體結構（7）所在層結構的厚度。
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