[發明專利]具有波導轉換元件的集成電路模塊

有效

• 申請號: 201410176248.3
• 申請日: 2014-04-29
• 公開（公告）號: CN104124211B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: W.哈特納;E.澤勒;M.沃杰諾夫斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/053
• 分類號: H01L23/053;H01L23/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 張濤,胡莉莉

1.一種集成電路模塊，包括：

封裝模制化合物層，包括封裝模制化合物并且具有相對的第一表面和第二表面；

射頻（RF）集成電路，嵌入在封裝模制化合物中并且包括射頻端口；

波導轉換結構，嵌入在所述封裝模制化合物中，并且包括傳輸線接口部分、被配置成用于耦接到矩形波導外殼的波導接口部分、以及被配置為提供在所述傳輸線接口部分與所述波導接口部分之間的傳播模式轉換的變換器部分；以及

第一重分布層，包括至少一個絕緣層和至少一個金屬化層，并且跨過所述封裝模制化合物層的所述第一表面在所述射頻集成電路與所述波導轉換結構之間延伸，所述第一重分布層進一步包括在所述射頻集成電路的射頻端口與所述波導轉換結構的所述傳輸線接口部分之間導通地連接的射頻傳輸線。

2.如權利要求1所述的集成電路模塊，進一步包括第二重分布層，所述第二重分布層包括至少一個絕緣層和至少一個金屬化層，并且跨過所述封裝模制化合物層的所述第二表面在所述射頻集成電路與所述波導轉換結構之間延伸，其中，所述波導轉換結構具有被由所述第一重分布層內的所述至少一個金屬化層形成的第一寬壁、由所述第二重分布層內的所述至少一個金屬化層形成的第二寬壁、以及每一個由在所述傳輸線接口部分的第一側和第二側與所述波導接口部分的相應第一側和第二側之間將所述第一寬壁導通地耦接到所述第二寬壁的一個或更多個導體形成的第一側壁和第二側壁限定的腔體，并且其中，寬壁中的一個經由所述射頻傳輸線和所述傳輸線接口部分導通地耦接到所述射頻集成電路的射頻端口，并且另一個寬壁導通地耦接到所述射頻集成電路的接地端子。

3.如權利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導轉換結構進一步包括被與所述第一表面平行的導通的第一寬壁和第二寬壁、以及與所述第一表面垂直的第一側壁和第二側壁限定的腔體，其中，由在所述傳輸線接口部分的第一側和第二側與所述波導接口部分的相應第一側和第二側之間將所述第一寬壁導通地耦接到所述第二寬壁的多個平行導體形成所述第一側壁和第二側壁。

4.如權利要求3所述的集成電路模塊，其中，形成所述第一側壁和所述第二側壁中的每一個的所述多個平行導體包括導通過孔結構，所述導通過孔結構延伸通過所述封裝模制化合物，以將所述第一寬壁導通地耦接到所述第二寬壁。

5.如權利要求3所述的集成電路模塊，其中，形成所述第一側壁和所述第二側壁中的每一個的一個或更多個導體延伸通過與所述封裝模制化合物不同的介電材料，以將所述第一寬壁導通地耦接到所述第二寬壁。

6.如權利要求5所述的集成電路模塊，其中，所述介電材料的第一表面和第二表面上的金屬化部限定所述波導轉換結構的導通的第一寬壁和第二寬壁，并且其中，所述第一重分布層中的所述至少一個金屬化層導通地耦接到所述第一寬壁。

7.如權利要求2所述的集成電路模塊，其中，所述波導轉換結構進一步包括由與所述第一表面平行的導通的第一寬壁和第二寬壁以及與所述第一表面垂直的第一側壁和第二側壁限定的腔體，其中，由在所述傳輸線接口部分的第一側和第二側與所述波導接口部分的相應第一側和第二側之間將所述第一寬壁導通地耦接到所述第二寬壁的多個平行導體形成所述第一側壁和第二側壁中的每一個。

8.如權利要求7所述的集成電路模塊，進一步包括第二重分布層，所述第二重分布層包括至少一個絕緣層和至少一個金屬化層，并且跨過所述封裝模制化合物層的所述第二表面在所述射頻集成電路與所述波導轉換結構之間延伸，其中，所述第一重分布層內的所述至少一個金屬化層導通地連接到所述第一寬壁，并且其中，所述第二重分布層內的所述至少一個金屬化層導通地連接到所述第二寬壁，并且其中，所述第一重分布層內的所述至少一個金屬化層和所述第二重分布層內的所述至少一個金屬化層中的至少一個經由所述傳輸線接口部分和所述射頻傳輸線導通地連接到所述射頻集成電路的射頻端口。

9.如權利要求1所述的集成電路模塊，其中，所述波導轉換結構被配置成使得從所述射頻傳輸線耦接到所述傳輸線接口部分的電磁波的傳播方向在與所述第一表面平行的方向上，而在所述波導接口部分處的電磁波的傳播方向在與所述第一表面垂直的方向上。