[發明專利]一種橫向高壓功率半導體器件的結終端結構

有效

• 申請號: 201410175873.6
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103928528B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 喬明;文帥;張昕;薛騰飛;齊釗;吳文杰;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙)51227
• 代理人: 李順德,王睿

1.一種橫向高壓功率半導體器件的結終端結構，包括直線結終端結構和曲率結終端結構；所述直線結終端結構與橫向高壓功率半導體器件有源區結構相同，包括漏極N⁺接觸區(1)、N型漂移區(2)、P型襯底(3)、柵極多晶硅(4)、柵氧化層(5)、P-well區(6)、源極N⁺接觸區(7)、源極P⁺接觸區(8)；P-well區(6)與N型漂移區(2)位于P型襯底(3)的上層，其中P-well區(6)位于中間，兩邊是N型漂移區(2)，且P-well區(6)與N型漂移區(2)相連；N型漂移區(2)中遠離P-well區(6)的兩側是漏極N⁺接觸區(1)；P-well區(6)的上層具有與金屬化源極相連的源極N⁺接觸區(7)和源極P⁺接觸區(8)，其中源極P⁺接觸區(8)位于中間，源極N⁺接觸區(7)位于源極P⁺接觸區(8)兩側；源極N⁺接觸區(7)與N型漂移區(2)之間的P-well區(6)表面是柵氧化層(5)，柵氧化層(5)的表面是柵極多晶硅(4)；

所述曲率結終端結構包括漏極N⁺接觸區(1)、N型漂移區(2)、P型襯底(3)、柵極多晶硅(4)、柵氧化層(5)、P-well區(6)、源極P⁺接觸區(8)；P-well區(6)表面是柵氧化層(5)，柵氧化層(5)的表面是柵極多晶硅(4)；曲率結終端結構中的N⁺接觸區(1)、N型漂移區(2)、柵氧化層(5)和柵極多晶硅(4)分別與直線結終端結構中的N⁺接觸區(1)、N型漂移區(2)、柵氧化層(5)和柵極多晶硅(4)相連并形成環形結構；其中，曲率結終端結構中的環形N⁺接觸區(1)包圍環形N型漂移區(2)，曲率結終端結構中的環形N型漂移區(2)包圍柵極多晶硅(4)和柵氧化層(5)；與“直線結終端結構中的P-well區(6)與N型漂移區(2)相連”不同的是，曲率結終端結構中的P-well區(6)與N型漂移區(2)不相連；

其特征在于，直線結終端結構中的漏極N⁺接觸區(1)遠離曲率結終端結構一端的橫向寬度大于靠近曲率結終端結構一端的橫向寬度。