[發明專利]有機發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201410175640.6 | 申請日: | 2006-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103956375A | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 趙尹衡;李鐘赫;金元鐘;吳敏鎬;李炳德;崔鎮白 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;譚昌馳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光裝置,包括:
基底;
包封基底;
有機發光單元,位于所述基底和所述包封基底之間;
含有水蒸氣吸收材料的密封劑層,位于基底和包封基底之間以使基底和包封基底互連,并且覆蓋所述有機發光單元的至少一部分,所述含有水蒸氣吸收材料的密封劑層包含:
密封劑,具有大約10g/m2·天或更小的水蒸氣透過率,其中,在溫度為38℃、相對濕度為100%的環境下利用厚度為100μm的密封劑的膜來測量水蒸氣透過率,其中,所述密封劑基本透明;
水蒸氣吸收材料,從由平均粒度為大約100nm或更小的金屬氧化物和金屬鹽組成的組中選擇。
2.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,所述密封劑包括從由有機密封劑、無機密封劑和有機/無機復合密封劑組成的組中選擇的至少一種密封劑。
3.如權利要求2所述的有機發光裝置,其中,所述有機密封劑包括從由丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚異戊二烯基樹脂、乙烯基樹脂、環氧基樹脂、尿烷基樹脂和纖維素基樹脂組成的組中選擇的至少一種密封劑。
4.如權利要求2所述的有機發光裝置,其中,所述無機密封劑包括從由二氧化鈦、氧化硅、氧化鋯、氧化鋁和這些物質的前驅物組成的組中選擇的至少一種密封劑。
5.如權利要求2所述的有機發光裝置,其中,所述有機/無機復合密封劑包括從由環氧硅烷或其衍生物、乙烯基硅烷或其衍生物、胺基硅烷或其衍生物、甲基丙烯酸酯硅烷或其衍生物、芳基硅烷或其衍生物、甲基丙烯酰氧基硅烷或其衍生物以及這些物質的部分固化的反應產物組成的組中選擇的至少一種密封劑。
6.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,所述水蒸氣吸收材料包括從由堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、金屬鹵化物、金屬硫酸鹽、金屬高氯酸鹽和五氧化二磷組成的組中選擇的至少一種材料。
7.如權利要求6所述的有機發光裝置,其中,所述堿金屬氧化物Li2O、Na2O或K2O;其中,所述堿土金屬氧化物是BaO、CaO或MgO;其中,所述金屬硫酸鹽是Li2SO4、Na2SO4、CaSO4、MgSO4、CoSO4、Ga2(SO4)3、Ti(SO4)2或NiSO4;其中,所述金屬鹵化物是CaCl2、MgCl2、SrCl2、YCl3、CuCl2、CsF、TaF5、NbF5、LiBr、CaBr2、CeBr3、SeBr2、VBr2、MgBr2、BaI2或MgI2;其中,所述金屬高氯酸鹽是Ba(ClO4)2或Mg(ClO4)2。
8.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,所述水蒸氣吸收材料是無水氧化鈣。
9.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,以按重量計所述水蒸氣吸收材料為100份為基準,所述密封劑的量在按重量計大約1000份至按重量計大約4000份的范圍內。
10.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,含有水蒸氣吸收材料的密封劑層的厚度在大約10μm至大約40μm的范圍內。
11.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,穿過所述含有水蒸氣吸收材料的密封劑層的可見光的透射率在大約90%至大約99%的范圍內。
12.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中,穿過所述含有水蒸氣吸收材料的密封劑層的可見光的透射率在大約95%至大約99%的范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410175640.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:投影儀調節組件
- 下一篇:一種多向光源自打光攝影棚用LED燈
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





