[發明專利]晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構

有效

• 申請號: 201410175210.4
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN105024005B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 蔡勇;徐飛;張亦斌
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 王鋒

1.一種晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于包括絕緣基體以及彈性導電機構，所述彈性導電機構與絕緣基體固定連接，其中所述彈性導電機構一端部或兩端之間的選定部位與絕緣基體之間形成有可供夾持固定所述晶圓級半導體器件的彈性夾持結構，當將所述晶圓級半導體器件插入所述彈性夾持結構時，所述彈性導電機構一端或兩端之間的選定部位還與所述晶圓級半導體器件的陰極或陽極電性接觸，

其中所述晶圓級半導體器件包括：

直徑在2英寸以上的晶圓級基片，

形成于基片表面且并聯設置的多個串聯組，每一串聯組包括串聯設置的多個并聯組，每一并聯組包括并聯設置的多個功能單胞，其中每一功能單胞均是由直接外延生長于所述基片表面的半導體層加工形成的獨立功能單元，

以及導線，其至少電性連接于每一串聯組中的一個選定并聯組與所述半導體器件的一個電極之間和/或兩個選定并聯組之間，用以使所有串聯組的導通電壓一致，

其中，形成于基片表面的所有功能單胞中的部分功能單胞為正常單胞，其余為冗余單胞，所有正常單胞被排布為并聯設置的多個多級單元組，任一多級單元組包括串聯設置的多個第一并聯組，并且任一多級單元組中選定的M個第一并聯組還與N個第二并聯組串聯形成一串聯組，任一第一并聯組包括并聯設置的多個正常單胞，任一第二并聯組包括并聯設置的多個冗余單胞，M為正整數，N為0或正整數。

2.根據權利要求1所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述彈性導電機構包括金屬簧片，所述金屬簧片一端部與絕緣基體固定連接，另一端部為活動端。

3.根據權利要求2所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述金屬簧片另一端部具有至少一弧形結構，當將所述晶圓級半導體器件插入所述彈性夾持結構時，其中至少一弧形結構的頂端部與所述晶圓級半導體器件的陰極或陽極電性接觸。

4.根據權利要求1所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述彈性導電機構與所述絕緣基體的一端部固定連接，另一端部具有一凸出部，所述凸出部與所述彈性導電機構一端或兩端之間的選定部位之間形成所述彈性夾持結構。

5.根據權利要求1-4中任一項所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述彈性導電機構經分布在所述絕緣基體上的導線與電源電連接。

6.根據權利要求1所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：當將所述晶圓級半導體器件插入所述彈性夾持結構時，所述絕緣基體與所述基片另一面接觸。

7.根據權利要求1-4、6中任一項所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述晶圓級半導體器件還與至少一散熱殼體固定連接，所述散熱殼體內設有可儲納導熱介質的空腔，且至少所述晶圓級半導體器件一面的至少與所述功能單胞相應的局部區域暴露于所述空腔內。

8.根據權利要求7所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：至少所述晶圓級半導體器件的暴露于所述空腔內的一面的至少局部區域上分布有散熱機構，所述散熱機構包括至少連接于所述晶圓級半導體器件的一面上的復數片狀和/或柱狀散熱部。

9.根據權利要求7所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述散熱殼體上還分布有與所述空腔連通的導熱介質入口和出。

10.根據權利要求7所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述散熱殼體還具有復數中空散熱翅片，所述散熱翅片內腔與所述空腔連通。

11.根據權利要求1所述晶圓級半導體器件的插拔式電連接結構，其特征在于：所述晶圓級半導體器件為半導體發光器件，且所述半導體發光器件的出光面上還分布有減反增透機構。