[發明專利]一種具有立體微結構陣列的太陽能電池無效
| 申請號: | 201410174956.3 | 申請日: | 2014-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN103928541A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 潘金艷;張磊;高云龍;趙國亮 | 申請(專利權)人: | 集美大學 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司 35218 | 代理人: | 劉開林 |
| 地址: | 361000 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 立體 微結構 陣列 太陽能電池 | ||
1.一種具有立體微結構陣列的太陽能電池,包括基底,位于基底上的P型層,復合在P型層上的高透光率N型層,以及位于N型層上的透明電極,其特征在于,所述P型層表面具有立體微結構陣列,所述立體微結構陣列為規則排列的凸起結構,所述立體微結構陣列與N型層復合形成立體微結構pn結陣列。
2.根據權利要求1所述的具有立體微結構陣列的太陽能電池,其特征在于,所述立體微結構陣列凸起的高度為1至2微米,立體微結構陣列凸起的底座大小為1至2微米,立體微結構陣列凸起相鄰之間的距離為1至2微米。
3.根據權利要求1所述的具有立體微結構陣列的太陽能電池,其特征在于,所述立體微結構陣列的凸起為梯形體、立方體或半球體。
4.一種具有立體微結構的太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一基底,并在基底表面印刷或刻蝕形成立體微結構陣列;
在基底表面生長P型層,形成表面具有立體微結構陣列的P型層;
在P型層上形成高透光率N型層,形成具有立體微結構pn結陣列的太陽能電池。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述P型層材料為晶體硅或氧化銅,所述N型層材料為氧化鋅或石墨烯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





