[發明專利]多晶硅膜層形貌的形成方法

有效

• 申請號: 201410174829.3
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103943486B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 王偉軍;奚鵬程;楊冰
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種多晶硅膜層形貌的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成一柵極氧化層，并在所述柵極氧化層之上形成一多晶硅膜層；

對所述柵極氧化層之上的多晶硅膜層進行摻雜處理，摻雜之后的多晶硅膜層中不同深度對應不同的摻雜濃度分布，確定摻雜濃度極值的深度；

根據摻雜處理后多晶硅膜層的摻雜濃度分布，通過調節刻蝕氣體的流量比，對摻雜處理后的多晶硅膜層進行不同刻蝕氣體比例的刻蝕處理，以控制橫向刻蝕程度，最終形成縱向上寬度均勻且側壁平直的多晶硅膜層形貌，其中，所述刻蝕氣體包括HBr和Cl₂，將HBr/Cl₂流量比最大值設置在濃度極大值附近，以維持刻蝕速率的穩定。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底上形成一柵極氧化層包括：對所述襯底進行熱氧化形成所述柵極氧化層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極氧化層之上形成一多晶硅膜層包括：通過低壓化學氣相淀積在所述柵極氧化層之上形成一多晶硅膜層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對多晶硅膜層進行摻雜處理包括：通過離子注入摻雜元素，完成對多晶硅膜層的摻雜處理。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對摻雜處理后的多晶硅膜層進行刻蝕處理包括：對摻雜處理后的多晶硅膜層進行主刻蝕處理。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，保持刻蝕氣體總流量穩定，調節各刻蝕氣體組分的流量來調節刻蝕氣體的流量比。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對摻雜處理后的多晶硅膜層進行刻蝕處理包括：通過分步刻蝕對摻雜處理后的多晶硅膜層進行刻蝕處理。

8.根據權利要求1-7任一所述的方法，其特征在于，所述對摻雜處理后的多晶硅膜層進行刻蝕處理包括轟擊、過刻蝕處理。