[發明專利]自對準的柵極分離方法

有效

• 申請號: 201410174764.2
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103943484A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 鮑宇;周軍;朱亞丹;曾真;鐘斌;賀忻
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種自對準的柵極分離方法，其特征在于，包括：

在鰭式場效晶體管的鰭頂端設置一保護層，并在所述保護層上表面設置一犧牲層；

有選擇地在柵極層中一柵極對應的柵極層上表面形成一第一光阻層，并對柵極層中另一柵極進行刻蝕處理；

刻蝕掉柵極層中所述一柵極對應的柵極層上表面形成一第一光阻層，并在柵極層上表面形成一第二光阻層；

通過刻蝕工藝刻蝕掉所述柵極層中所述一柵極之上的第二光阻層和部分柵極層，并停止于對應位置處的保護層，使所述柵極層中所述一柵極高度降低并裸露；

去除所述柵極層之上的剩余的第二光阻層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護層的材料為SiN或SiON。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光阻層和第二光阻層的材料為氧化物材料。

4.一種鰭式場效晶體管半成品結構，其特征在于，包括：

柵極層；

保護層，位于鰭式場效晶體管的鰭頂端；

第一光阻層，有選擇地在柵極層中一柵極對應的柵極層上表面。

5.根據權利要求4所述的半成品結構，還包括第二光阻層，位于刻蝕掉柵極層中所述一柵極對應的柵極層上表面的一第一光阻層之后的柵極層上表面。

6.根據權利要求4所述的半成品結構，其特征在于，所述保護層的材料為SiN或SiON。

7.根據權利要求5所述的半成品結構，其特征在于，所述第一光阻層和第二光阻層的材料為氧化物材料。

8.根據權利要求4所述的半成品結構，其特征在于，所述柵極層中的兩個柵極高度差大于10nm。