[發明專利]一種外延工藝腔體溫度校準的方法在審
| 申請號： | 201410174739.4 | 申請日： | 2014-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN103938269A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 曹威;江潤峰 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/16 | 分類號： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 工藝 體溫 校準 方法 | ||
1.一種外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，包括：
步驟S01、建立硅本征外延層厚度-機臺腔體溫度的映射關系；其中，所述步驟S01具體包括：
步驟S011、提供若干硅襯底，且在各硅襯底上依次形成硅鍺外延層和硅本征外延層；其中，所述各硅本征外延層預設為不同的厚度；
步驟S012、針對不同厚度的硅本征外延層，分別記錄熱偶測量機臺腔體的實際溫度，進而將各硅本征外延層厚度值和機臺腔體溫度值一一對應,形成硅本征外延層厚度-機臺腔體溫度的映射關系；
步驟S02、生產工藝監控過程中，根據硅本征外延層厚度-機臺腔體溫度的映射關系，通過溫度調節裝置校準機臺腔體溫度；其中，所述步驟S02具體包括：
步驟S021、通過光學測量硅本征外延層的厚度分布，檢查硅本征外延層是否存在局部厚度超過預設閾值；
步驟S022、若硅本征外延層存在局部厚度超過預設閾值，則根據硅本征外延層厚度-機臺腔體溫度的映射關系，通過溫度調節裝置校準機臺腔體溫度。
2.根據權利要求1所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，所述步驟S011中，所述硅鍺外延層中鍺濃度為固定值且鍺濃度無梯度分布。
3.根據權利要求2所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，所述硅鍺外延層中鍺濃度為10％。
4.根據權利要求1所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，所述步驟S011中，首先采用烘烤工藝去除所述硅襯底表面的自然氧化層及表面的雜質。
5.根據權利要求1所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，所述步驟S022中，校準機臺溫度后檢查所述機臺腔體內是否被污染或/和石英組件是否破裂。
6.根據權利要求1～5任一所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，所述硅鍺外延層的摻雜濃度高于硅本征外延層的摻雜濃度。
7.根據權利要求1～5任一所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，沉積所述硅鍺外延層的工藝溫度為750℃。
8.根據權利要求1～5任一所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，沉積所述硅鍺外延層的工藝溫度為800℃。
9.根據權利要求8所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，沉積所述硅本征外延層的時間為200S。
10.根據權利要求1所述的外延工藝腔體溫度校準的方法，其特征在于，沉積所述硅鍺外延層和硅本征外延層的工藝為化學氣相沉積工藝。
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