[發明專利]一種多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法有效
| 申請號： | 201410174513.4 | 申請日： | 2014-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN103979523A | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發明（設計）人： | 王雅君;崔曉峰;韓善磊;張云暖;姜桂元;徐春明;趙震 | 申請（專利權）人： | 中國石油大學(北京) |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 102249*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多壁碳 納米 填充 硫化 方法 | ||
1.一種多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其包括以下步驟：
步驟一：用硝酸對多壁碳納米管進行高溫處理，清洗后將多壁碳納米管超聲分散到水中；
步驟二：加入鎘源，形成鎘源的濃度為0.1mol/L-1.5mol/L的懸濁液，其中，所述鎘源和所述多壁碳納米管的摩爾比為0.1-2:1，將懸濁液的pH值調至1-5，超聲處理1-4h后，進行水熱處理，得到反應溶液；
步驟三：將所述反應溶液蒸干后得到中間產物，用二甲基亞砜清洗中間產物；
步驟四：將清洗后的中間產物與二甲基亞砜混合，進行溶劑熱反應后，離心、清洗，得到填充了硫化鎘的多壁碳納米管。
2.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述硝酸的濃度為50-70wt％。
3.根據權利要求1或2所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述硝酸的濃度為65wt％。
4.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述鎘源包括氯化鎘、乙酸鎘和硝酸鎘中的一種或幾種的組合。
5.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述多壁碳納米管的內徑為3-20nm。
6.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述高溫處理的處理溫度為120-150℃，處理時間為1-24h。
7.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述步驟二中水熱處理的溫度為80-170℃，處理時間為1-24h。
8.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述步驟三中，用二甲基亞砜清洗中間產物1-5次。
9.根據權利要求1所述的多壁碳納米管內填充硫化鎘的方法，其中，所述步驟四中溶劑熱反應的溫度為150-250℃，時間為1-24h。
10.一種多壁碳納米管內填充硫化鎘的復合材料，其是由權利要求1-9任一項所述的方法制得的。
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