[發(fā)明專利]一種曲面有機發(fā)光二極管顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410174080.2 | 申請日: | 2014-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103996695A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 路林;曹建偉;劉衛(wèi)東 | 申請(專利權(quán))人: | 青島海信電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 蘇培華 |
| 地址: | 266100 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 曲面 有機 發(fā)光二極管 顯示 面板 | ||
1.一種曲面有機發(fā)光二極管顯示面板,包括顯示基板、封裝基板和支撐物,所述支撐物支撐在所述顯示基板與所述封裝基板之間,其中,所述顯示基板和所述封裝基板中,至少一種基板的內(nèi)表面為曲面,所述支撐物包括面向所述顯示基板的第一支撐面,和面向所述封裝基板的第二支撐面,其特征在于:
所述第一支撐面與所述第二支撐面中,至少有一個支撐面為曲面,并且所述支撐物的曲面的曲率與其所面向的基板的內(nèi)表面的曲率相同,以使所述支撐物的曲面與所述基板的內(nèi)表面完全貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于:
所述封裝基板的內(nèi)表面為曲面,所述第二支撐面的曲率與所述封裝基板的內(nèi)表面的曲率相同,以使所述支撐物的曲面與所述封裝基板的內(nèi)表面完全貼合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于:
所述顯示基板的內(nèi)表面為曲面,所述第一支撐面的曲率與所述顯示基板的內(nèi)表面的曲率相同,以使所述支撐物的曲面與所述顯示基板的內(nèi)表面完全貼合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述支撐物包括至少一個,所述支撐物在垂直于所述顯示基板和所述封裝基板的內(nèi)表面的方向上的橫截面為正梯形或倒梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,所述支撐物采用正性光刻膠或負性光刻膠制作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,所述支撐物成型時的堅膜溫度為80-160℃,堅膜時間為100-200s,所述顯示基板和所述封裝基板之間的距離為3um-5mm時,曝光劑量為15-25mj/cm2,顯影液濃度為0.24-0.48%,顯影走速為0.24-0.48m/min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述支撐物與所述顯示基板或封裝基板的支撐面的邊緣的棱角采用灰化工藝進行調(diào)整,所述灰化工藝中氧氣流量為200-400ml/min,壓力為15-25pa,功率為300-500w,灰化時間為80-160s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示基板包括像素電路層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示基板還包括鈍化層、像素定義層、第一電極、第二電極和有機發(fā)光二極管器件;
所述鈍化層設(shè)置在所述像素電路層上,所述第一電極設(shè)置于所述鈍化層上,并通過通孔與所述像素電路層連接,所述有機發(fā)光二極管器件設(shè)置在所述第一電極的部分表面上,所述第二電極設(shè)置在所述有機發(fā)光二極管器件上,所述像素定義層設(shè)置于鈍化層上并覆蓋第一電極的部分表面;
所述支撐物支撐在所述像素定義層與所述封裝基板之間。
10.一種包括權(quán)利要求1-9所述的顯示面板的顯示裝置,所述顯示裝置包括顯示基板、封裝基板和支撐物,所述支撐物支撐在所述顯示基板與所述封裝基板之間,其中,所述顯示基板和所述封裝基板中,至少一種基板的內(nèi)表面為曲面,所述支撐物包括面向所述顯示基板的第一支撐面,和面向所述封裝基板的第二支撐面,其特征在于:
所述第一支撐面與所述第二支撐面中,至少有一個支撐面為曲面,并且所述曲面的曲率與其所面向的基板的內(nèi)表面的曲率相同,以使所述支撐物的曲面與所述基板的內(nèi)表面完全貼合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





