[發(fā)明專利]纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線的溶劑熱制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410173339.1 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104085917A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹萌;李超;張彬磊;王林軍;沈萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01G19/00 | 分類號(hào): | C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/032 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鋅礦 結(jié)構(gòu) cu sub cdsns 納米 溶劑 制備 方法 | ||
1.一種纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線的制備方法,其特征在于具有以下的制備過程和步驟:
a.???????首先將一定量的乙酸鎘和L-半胱氨酸加入到盛有一定量去離子水的燒杯中,攪拌使混合物完全溶解,得到均勻的澄清溶液;在室溫下,向燒杯中滴加一定量的無水乙二胺(En),持續(xù)攪拌十分鐘,將最終得到的溶液轉(zhuǎn)移入50mL不銹鋼反應(yīng)釜中;將反應(yīng)溫度升高至180℃反應(yīng)24h;反應(yīng)完畢后將高壓釜移出加熱裝置,使反應(yīng)物冷卻至室溫;分別加入無水乙醇和去離子水作為清洗劑,并以8000轉(zhuǎn)/分鐘的速度離心4分鐘,重復(fù)多次直至上層離心溶液澄清;收集下層沉底物,放入干燥箱中60℃干燥5?h,即得到CdS納米線;
制備過程中所述的乙酸鎘和L-半胱氨酸的摩爾配比為:
(CH3COO)2Cd·2H2O?:?C3H7NO2S?=?1?:?(2~3);
制備過程中所述的去離子水和無水乙二胺(En)的體積比為:
H2O?:?En?=?1?:?9;
b.??????將一定量的硫酸銅,氯化亞錫,L-半胱氨酸和上步制得的CdS納米線加入盛有一定量去離子水的燒杯中,攪拌使混合物混和均勻;在室溫下,向混和溶液中滴加一定量的無水乙二胺(En),持續(xù)攪拌十分鐘,將最終得到的溶液轉(zhuǎn)移入50mL不銹鋼反應(yīng)釜中,將反應(yīng)溫度升高至180℃反應(yīng)24h;將高壓釜移出加熱裝置使反應(yīng)物冷卻至室溫;分別加入氯仿、無水乙醇和去離子水作為清洗劑,并以8000轉(zhuǎn)/分鐘的速度離心4分鐘,重復(fù)多次直至上層離心溶液澄清;收集下層沉底物,放入干燥箱中60℃干燥5?h,即得到纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線;
制備過程中所述的硫酸銅、氯化亞錫、CdS和L-半胱氨酸的摩爾配比為:
Cu2SO4·5H2O?:?CdS?:?SnCl2·2H2O?:?C3H7NO2S?=?1.7?:?1?:?1?:?(4~5);
制備過程中所述的去離子水和無水乙二胺(En)的體積比為:
H2O?:?En?=?1?:?9。
2.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線的制備方法,其特征在于:所述的制備CdS納米線所用的乙酸鎘可以用氯化鎘、硫酸鎘或硝酸鎘來代替。
3.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線的制備方法,其特征在于:所述的制備纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線所用的氯化亞錫可以用硫酸亞錫或四氯化錫來代替。
4.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線的制備方法,其特征在于:所述的制備纖鋅礦結(jié)構(gòu)Cu2CdSnS4納米線所需的硫酸銅可以用乙酸銅、氯化銅或硝酸銅來代替。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海大學(xué),未經(jīng)上海大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410173339.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





