[發明專利]在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法

有效

• 申請號: 201410173271.7
• 申請日: 2014-04-28
• 公開（公告）號: CN103943491A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 李婷;顧海洋
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;韓鳳

1.在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，包括以下步驟：

(1)提供聚合物基板或表面覆有聚合物的基板，基板上聚合物的厚度在工藝要求的基礎上增加10%~15%作為CMP研磨余量；所述聚合物為聚酰亞胺或苯丙二丁烯；

(2)對上述基板進行固化處理，使聚合物表面接觸角小于70度；?

(3)在深孔刻蝕之前采用CMP對表面進行平坦化處理，達到表面均勻性為1%的平坦化要求；具體為采用2~3步研磨速率由高到低的CMP研磨，并在研磨后進行清洗處理；選用如下耗材：

(a)膠體研磨液，其中研磨顆粒包括氧化硅、氧化鈰，或氧化鋁；研磨顆粒大小范圍為5~160nm;研磨液中研磨顆粒的含量在0.01wt%~20wt%范圍內；PH應大于7；研磨液中包括20~80oC的溫度范圍內粘度穩定在18?mPa﹒s?~300?mPa﹒s之間的物質；

(b)活化聚合物表面，加快聚合物水解的添加劑，包括：去離子水，氫氧化鉀，或四甲基氫氧化銨；

(c)硬度在50?shore?D和60?shore?D之間的硬質研磨墊與硬度小于50?shore?D的軟性研磨墊配合使用。

2.如權利要求1所述在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，步驟（2）對基板處理的方法是：在125~250攝氏度溫度條件下烘烤30~60分鐘。

3.如權利要求1所述在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，步驟（3）所述2步CMP研磨工藝過程如下：

(3.1)?在第一研磨臺采用壓力3psi~4psi，轉速100rpm~130rpm，研磨液流量在150ml/min~300ml/min之間，在此條件下用大于1um/min的研磨速率對不平整的基板表面進行第一步粗略研磨；

(3.2)?在第二研磨臺采用壓力0.2psi~2psi，轉速40~70rpm在軟性研磨墊上以低于1um/min的研磨速率進行第二步CMP研磨工藝。

4.如權利要求1所述在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，步驟（3）所述3步CMP研磨的工藝過程如下：

(3.1)?在第一研磨臺采用研磨頭壓力3psi~4psi，轉速100rpm~130rpm，研磨液流量在150ml/min~300ml/min之間，在此條件下用大于1um/min的研磨速率對不平整的基板表面進行第一步粗略研磨；

(3.2)?在第二研磨臺采用2psi~3psi的研磨頭壓力，轉速100rpm~130rpm，研磨液流量150ml/min~300ml/min的工藝條件，用比第一步研磨低的研磨速率進行第二步精磨；

(3.3)?在第三研磨臺采用壓力0.2psi~2psi，轉速40~70rpm在軟性研磨墊上進行第三步CMP研磨工藝。

5.如權利要求1所述在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，步驟（3）所述研磨墊所用的微孔聚氨酯材料密度為0.13~1.6g/cm³。

6.如權利要求1在轉接板工藝中采用CMP對基板表面進行平坦化的方法，其特征是，步驟（3）所述研磨液中所含粘性穩定的物質為甘油。