[發明專利]一種以導電陶瓷為基底電泳制備功能薄膜的方法

有效

• 申請號: 201410173140.9
• 申請日: 2014-04-26
• 公開（公告）號: CN103924281B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 丁明建;莊彤;楊俊鋒;馮毅龍
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技有限公司
• 主分類號: C25D13/12
• 分類號: C25D13/12
• 代理公司: 廣州圣理華知識產權代理有限公司44302
• 代理人: 李唐明

技術領域

本發明涉及一種制備薄膜的方法，尤其涉及一種以導電陶瓷為基底電泳制備功能薄膜的方法。

背景技術

介質薄膜以其優良的絕緣性能和介電性能在半導體集成電路、薄膜混合集成電路以及一些薄膜化元器件中得到廣泛應用。長期以來，人們對介質薄膜的制備做了很多的研究, 其中發現電泳沉積方法較化學氣相沉積、物理氣相沉積、溶膠—凝膠、流延成型和電沉積方法有操作簡單、沉積速率高、膜厚可控、設備簡單、可以在復雜形貌的襯底上制備均勻的沉積層等優點，近年來已被廣泛應用于制備各種介質膜層和復合材料。

對于電泳而言，一個重要的條件是沉積膜層的襯底要能夠導電，現有的基底多為金屬、導電玻璃、碳或者石墨，電泳沉積在一定程度上受制于基底的導電性，并且大部分使用的貴金屬價格昂貴，造成了成本增加。

發明內容

本發明的目的在于提供一種以導電陶瓷為基底電泳制備功能薄膜的方法，本發明以導電陶瓷為基底作為電泳的電極，擴大了電泳電極的適用范圍，實現了在陶瓷基底上形成多種功能薄膜，擴展了功能薄膜的應用范圍，可通過對電泳電壓和電泳時間的設置來調節功能薄膜的厚度，且制得的功能薄膜品質優良，降低了生產成本。

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種以導電陶瓷為基底電泳制備功能薄膜的方法，所述功能薄膜包括Al、Bi、Mo、Cu、Mg、Nb、Fe、Zn、Al₂O₃、Bi₂O₃、CuO、CeO₂、MgO、MgB、TiO₂、ZnO、V₂O₅、ZrO₂ 、Al₂O₃/N、Al₂O₃/ZrO₂、Bi-Mo、Bi-Cu、Ni-Cu、Ti-W、BaTiO₃、SrTiO₃、(Ba_1-xSr_x)TiO₃、PbTiO3、Pb(Zr_xTi_1-x)O₃、CaCu₃Ti₄O₁₂、Bi₂Mo₃O₁₂等功能薄膜，包括如下步驟：

步驟1：以含有Al、Bi、Mo、Cu、Mg、Nb、Fe、Zn、Mo、Ni、W、Ti等金屬離子的物質中的一種或一種以上組合或者以含有Al₂O₃、Bi₂O₃、CuO、CeO₂、MgO、MgB、TiO₂、ZnO、V₂O₅、ZrO₂ 、Al₂O₃/N、Al₂O₃/ZrO₂、BaTiO₃、SrTiO₃、(Ba_1-xSr_x)TiO₃、PbTiO₃、Pb(Zr_xTi_1-x)O₃、CaCu₃Ti₄O₁₂、Bi₂Mo₃O₁₂等物質中的一種或一種以上組合作為物質A，以硝酸、鹽酸、硫酸、乙酸、乙醇、無水乙醇、異丙醇、丙酮、丙烯酸、馬來酸、二乙醇胺、乙酰丙酮等物質中的一種或一種以上組合作為物質B；

步驟2：將物質A加入物質B中，在常溫、常壓下通過攪拌、超聲、球磨中一種或一種以上工藝形成濃度為0.01mol/L～0.15mol/L的物質A的溶液或懸浮液；

步驟3：在配制好的溶液或懸浮液中，根據需要加入物質C，所述的物質C為乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸鈉、乙二胺四乙酸二鈉、乙二胺四乙酸二鉀、乙二醇甲醚、氨水等物質中的一種或一種以上組合，并通過攪拌或超聲或球磨工藝獲得濃度為0.01mol/L～0.12mol/L均勻混合液；若不需要加入物質C，則省去步驟3；