[發明專利]用于縱向NPN晶體管電離輻射損傷的定量測試方法

無效

• 申請號: 201410172916.5
• 申請日: 2014-04-26
• 公開（公告）號: CN103926518A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 陸嫵;郭旗;王信;馬武英;李豫東;于新;魏瑩
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所 65106
• 代理人: 張莉

1.一種用于縱向NPN晶體管電離輻射損傷的定量測試方法，其特征在于該方法中涉及裝置是由柵控縱向NPN雙極晶體管和HP4142半導體參數分析儀組成，柵控縱向NPN雙極晶體管，是在常規晶體管的CE和EB結鈍化層表面附加柵電極，然后定量分離雙極縱向NPN晶體管中電離輻射感生的陷阱電荷，具體操作按下列步驟進行：

a、利用HP4142半導體參數分析儀測試柵控縱向NPN雙極晶體管的常規特性，包括基極、集電極電流和增益曲線，確定器件性能正常；

b、將步驟a中采集正常結果進行柵掃描法測試：集電極和發射極加固定電壓0.6V，柵極加步進掃描電壓0-80V，步長為100mV，測試基極電流Ib，獲得基極電流隨柵壓的變化趨勢Vg-Ib曲線；

c、待HP4142半導體參數分析儀采集到步驟b曲線后，確定總劑量輻照前器件的缺陷態數目；

d、將步驟b測試后的柵控縱向NPN雙極晶體管進行γ射線輻照，再按步驟a-步驟c再進行測試，再將兩次測試結果進行比對；

e、再利用柵掃描法對柵控縱向NPN雙極晶體管在電離輻射環境中產生的陷阱數目進行分離，從而完成對縱向NPN雙極晶體管輻射損傷的定量測試。