[發(fā)明專利]一種基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410172677.3
• 申請(qǐng)日: 2014-04-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103929252B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙彥立;文柯;張?jiān)姴?/a>;高晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H04B10/61
• 分類號(hào): H04B10/61
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所11302
• 代理人: 劉杰

1.一種基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于，包括：多模干涉耦合器MMI、可變光衰減器VOA以及雪崩光電二極管APD；信號(hào)光和本振光通過(guò)入射波導(dǎo)進(jìn)入所述多模干涉耦合器MMI；所述多模干涉耦合器MMI的輸出端與所述可變光衰減器VOA的輸入端相連；所述可變光衰減器VOA的輸出端與所述雪崩光電二極管APD的輸入端相連；所述多模干涉耦合器MMI、所述可變光衰減器VOA以及所述雪崩光電二極管APD器件間的光信號(hào)傳遞通過(guò)光波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)。

2.如權(quán)利要求1所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述多模干涉耦合器MMI的入射波導(dǎo)芯層、多模區(qū)與輸出波導(dǎo)芯層、可變光衰減器的衰減芯層以及雪崩光電二極管APD的光匹配層均采用InGaAsP系列材料。

3.如權(quán)利要求2所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述基于雪崩光電二極管APD相干接收機(jī)的基底和上包層采用InP系列材料。

4.如權(quán)利要求1所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述可變光衰減器VOA與所述雪崩光電二極管APD間的連接光波導(dǎo)的芯層采用P型重?fù)诫s形成電隔離槽結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)還包括：光斑轉(zhuǎn)換器SSC，且所述光斑轉(zhuǎn)換器SSC設(shè)置于所述多模干涉耦合器MMI的入射波導(dǎo)前端。

6.如權(quán)利要求5所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述可變光衰減器VOA與所述雪崩光電二極管通過(guò)光波導(dǎo)相連。

7.如權(quán)利要求5所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述多模干涉耦合器MMI的輸出端口為四個(gè)。

8.如權(quán)利要求5所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述雪崩光電二極管APD的倍增層采用InP材料構(gòu)成的多層倍增單元級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)；其中，倍增單元依次由第一n型InP材料層、第一本征InP材料層、第二n型InP材料層、第二本征InP材料層、p型InP材料層和第三本征InP材料層疊置而成。

9.如權(quán)利要求8所述的基于雪崩光電二極管APD的相干接收機(jī)，其特征在于：所述雪崩光電二極管采用低噪聲高增益的e-APD。