[發明專利]集成無源電容扇出型晶圓級封裝結構及制作方法

有效

• 申請號: 201410172529.1
• 申請日: 2014-04-26
• 公開（公告）號: CN103972217A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 孫鵬;徐健;王宏杰;何洪文
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L23/498;H01L21/02;H01L21/48
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅

1. 一種集成無源電容扇出型晶圓級封裝結構，包括扇出型封裝體（1），扇出型封裝體（1）包括塑封體（11）和塑封于塑封體（11）中的芯片（12），芯片（12）的正面具有第一電極（13）和第二電極（14），芯片（12）的正面與塑封體（11）的正面平齊；其特征是：在所述塑封體（11）中設置兩組電容，分別為第一金屬柱（21）、第二金屬柱（22）、第三金屬柱（23）和第四金屬柱（24），第一金屬柱（21）和第二金屬柱（22）位于芯片（12）的一側，第三金屬柱（23）和第四金屬柱（24）位于芯片（12）的另一側；在所述塑封體（11）的正面設置絕緣層（3），在絕緣層（3）中布置第一金屬層（41）、第二金屬層（42）、第三金屬層（43）和第四金屬層（44），第一金屬層（41）與第一金屬柱（21）連接，第二金屬層（42）與第二金屬柱（21）和芯片（12）的第一電極（13）連接，第三金屬層（43）與第三金屬柱（23）和芯片（12）的第二電極（14）連接，第四金屬層（44）與第四金屬柱（24）連接；在所述第一金屬層（41）、第二金屬層（42）、第三金屬層（43）和第四金屬層（44）上分別設置第一凸點下金屬層（51）、第二凸點下金屬層（52）、第三凸點下金屬層（53）和第四凸點下金屬層（54），第一凸點下金屬層（51）、第二凸點下金屬層（52）、第三凸點下金屬層（53）和第四凸點下金屬層（54）的外表面露出絕緣層（3）的外表面，在第一凸點下金屬層（51）、第二凸點下金屬層（52）、第三凸點下金屬層（53）和第四凸點下金屬層（54）的外表面分別設置焊球（6）。

2.如權利要求1所述的集成無源電容扇出型晶圓級封裝結構，其特征是：所述第一金屬柱（21）和第二金屬柱（22）之間填充塑封材料；所述第三金屬柱（23）和第四金屬柱（24）之間填充塑封材料。

3.如權利要求1所述的集成無源電容扇出型晶圓級封裝結構，其特征是：所述第一金屬層（41）、第二金屬層（42）、第三金屬層（43）和第四金屬層（44）相互之間通過絕緣層（3）實現絕緣。

4.一種集成無源電容扇出型晶圓級封裝結構的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）將芯片（12）扇出型封裝于塑封體（11）中，得到扇出型封裝體（1），芯片（12）的正面與塑封體（11）的正面平齊；

（2）在塑封體（11）上開兩組電容槽，兩組槽分別位于芯片（12）的兩側，每組電容槽為兩個槽體，槽體之間以塑封材料隔開；

（3）在上述電容槽中填充金屬，分別得到第一金屬柱（21）、第二金屬柱（22）、第三金屬柱（23）和第四金屬柱（24）；

（4）在塑封體（11）的正面涂覆絕緣材料，形成絕緣層；對絕緣層刻蝕出圖形開口，露出第一金屬柱（21）、第二金屬柱（22）、第三金屬柱（23）、第四金屬柱（24）、第一電極（13）和第二電極（14）的表面；

（5）在上述絕緣層表面電鍍金屬，形成金屬層，金屬層連接第一金屬柱（21）、第二金屬柱（22）、第三金屬柱（23）、第四金屬柱（24）、第一電極（13）和第二電極（14）；

（6）對上述金屬層刻蝕出圖形開口，得到相互絕緣的第一金屬層（41）、第二金屬層（42）、第三金屬層（43）和第四金屬層（44）；

（7）在上述金屬層的表面涂覆絕緣材料，在得到的絕緣材料上刻蝕出四個窗口，分別露出第一金屬層（41）、第二金屬層（42）、第三金屬層（43）和第四金屬層（44）的表面；

（8）在上述窗口中電鍍金屬，分別得到第一凸點下金屬層（51）、第二凸點下金屬層（52）、第三凸點下金屬層（53）和第四凸點下金屬層（54）；在第一凸點下金屬層（51）、第二凸點下金屬層（52）、第三凸點下金屬層（53）和第四凸點下金屬層（54）表面植球，得到焊球（6）。