[發(fā)明專利]反向電流阻斷比較器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410172327.7
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN104124950B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·戴格爾;J·L·斯圖茲
• 申請（專利權(quán)）人: 快捷半導(dǎo)體（蘇州）有限公司;快捷半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11270
• 代理人: 武晨燕,張穎玲

1.一種電子開關(guān)設(shè)備，包括：

至少一個(gè)晶體管，其被配置為模擬開關(guān)；

阱偏壓電路，其被配置成向所述至少一個(gè)晶體管的本體區(qū)提供動(dòng)態(tài)電偏壓；以及

比較器電路，其與所述阱偏壓電路和所述晶體管電連通，其中所述比較器電路被配置成檢測所述晶體管的第一工作條件和所述晶體管的第二工作條件，

其中所述阱偏壓電路被配置成當(dāng)檢測到所述第一工作條件時(shí)將第一電偏壓施加至晶體管的所述本體區(qū)，以及當(dāng)檢測到所述第二工作條件時(shí)將第二電偏壓施加至所述晶體管的所述本體區(qū)，并且其中所述比較器被配置成將遲滯施加于所述第一工作條件和所述第二工作條件的檢測。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一工作條件包括所述晶體管輸入處的電壓大于所述晶體管輸出處的電壓，并且所述第二工作條件包括所述晶體管輸入處的電壓小于所述晶體管輸出處的電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述阱偏壓電路被配置成當(dāng)檢測到所述第一工作條件時(shí)使所述晶體管p型阱的所述偏壓減少所述晶體管輸入處的所述電壓與所述晶體管輸出處的所述電壓間的差值，以及當(dāng)檢測到所述第二工作條件時(shí)使所述晶體管n型阱的所述偏壓增加所述晶體管輸出處的所述電壓與所述晶體管輸入處的所述電壓間的差值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述比較器電路被配置成將可調(diào)節(jié)遲滯施加于所述第一工作條件和所述第二工作條件的檢測。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述比較器包括附接到電流鏡的多個(gè)交叉耦合裝置，并且其中所述遲滯通過改變所述電流鏡的裝置的比率而可調(diào)節(jié)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其包括所述電流鏡的電流基準(zhǔn)，其中所述至少一個(gè)晶體管、所述阱偏壓電路、所述比較器電路和所述電流基準(zhǔn)包括在IC中，并且其中所述電流基準(zhǔn)在將非零電壓施加到IC的n型阱時(shí)為活動(dòng)的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述晶體管包括在模擬開關(guān)電路中，并且所述比較器電路包括被配置成指示所述模擬開關(guān)的工作條件的輸出。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其包括被配置成根據(jù)所述比較器的所述輸出改變所述模擬開關(guān)電路的操作的控制電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述比較器電路的所述輸出指示流過所述晶體管的電流的方向或流過所述晶體管的所述電流的大小中的至少一者。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述晶體管包括在傳輸門電路中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述至少一個(gè)晶體管、所述阱偏壓電路和所述比較器電路包括在電池充電系統(tǒng)中。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述電池充電系統(tǒng)被配置成向蜂窩電話的電池供電。

13.根據(jù)權(quán)利要求1和10-12中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述比較器電路被配置成檢測：作為所述晶體管的所述第一工作條件，所述晶體管輸入處的電壓大于所述晶體管輸出處的電壓，其差值小于所述晶體管的閾值電壓；以及檢測：作為所述第二工作條件，所述晶體管輸出處的所述電壓大于所述晶體管輸入處的所述電壓，其差值小于所述晶體管的所述閾值電壓。