[發(fā)明專利]純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410172285.7
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN103922272A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐元俊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海先進半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;B81B1/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 徐潔晶

1.一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括步驟：

A.提供硅襯底(301)；

B.在所述硅襯底(301)的正面形成二氧化硅層(302)；

C.對所述二氧化硅層(302)作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)；

D.提供鍵合片(304)，將所述鍵合片(304)與圖形化的所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述二氧化硅層(302)的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述二氧化硅層(302)的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。

5.一種采用權(quán)利要求1所述的形成方法形成的純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)，包括：

硅襯底(301)；

圖形化的二氧化硅層(302)，形成于所述硅襯底(301)的正面，所述二氧化硅層(302)中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)；

鍵合片(304)，與所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成了一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的形成方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的圖形化方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。

9.一種復(fù)合腔體的形成方法，包括步驟：

A.提供硅襯底(301)；

B.在所述硅襯底(301)的正面形成二氧化硅層(302)；

C.對所述二氧化硅層(302)作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)，所述二氧化硅層(302)的圖形與下述步驟G中待形成的小腔體(308)的位置相對應(yīng)；

D.提供鍵合片(304)，將所述鍵合片(304)與圖形化的所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)；

E.在所述硅襯底(301)的背面形成掩蔽層(306)并對所述掩蔽層(306)作圖形化，所述掩蔽層(306)的圖形與下述步驟F中待形成的大腔體(307)的位置相對應(yīng)；

F.以所述掩蔽層(306)為掩模，從背面刻蝕所述硅襯底(301)至正面的所述二氧化硅層(302)，在所述硅襯底(301)中形成所述大腔體(307)；

G.以所述掩蔽層(306)和所述二氧化硅層(302)為掩模，從背面穿過所述硅襯底(301)刻蝕所述鍵合片(304)，在所述鍵合片(304)及所述二氧化硅層(302)中形成一個或多個所述小腔體(308)，所述大腔體(307)和所述小腔體(308)構(gòu)成了所述復(fù)合腔體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，形成所述二氧化硅層(302)的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，圖形化所述二氧化硅層(302)的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，所述掩蔽層(306)的材料為光刻膠或者半導(dǎo)體介質(zhì)。