[發明專利]一種對沉積薄膜反應裝置的處理方法、薄膜沉積方法

有效

• 申請號: 201410171811.8
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN105088175B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 蒙韜;汪軍;李泓博;姚建裕
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;B08B9/08
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種對沉積薄膜反應裝置的處理方法，包括：對所述反應裝置進行干法清洗；

其中，在所述干法清洗中通過增加清洗時間，或在所述干法清洗中通過增加清洗時間和提高清洗氣體濃度，或在所述干法清洗中通過增加清洗時間和在所述清洗中保持平穩的溫度，或在所述干法清洗中通過增加清洗時間和提高清洗氣體濃度以及在所述清洗中保持平穩的溫度，以將所述反應裝置中殘留的薄膜完全清除，以去除沉積薄膜表面的顆粒缺陷；

增加清洗時間之后所述干法清洗包括第一清洗步驟、第二清洗步驟和第三清洗步驟；

其中，所述第一清洗步驟選用HF，清洗時間為25-35min；

所述第二清洗步驟選用HF，清洗時間為35-45min；

所述第三清洗步驟選用HF和F₂，清洗時間為30-40min。

2.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述干法清洗中選用氮氣作為稀釋氣體。

3.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述干法清洗中通過降低所述稀釋氣體的流量提高所述清洗氣體濃度。

4.根據權利要求2所述的處理方法，其特征在于，所述氮氣的氣體流量為0.5-2slm。

5.根據權利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述氮氣的氣體流量為1slm。

6.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述干法清洗時間為90-120min。

7.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述干法清洗中選用的溫度為445℃-455℃。

8.根據權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述處理方法中對所述反應裝置的反應腔室和排氣管道進行所述干法清洗。

9.一種薄膜沉積方法，所述方法包括：在沉積所述薄膜之前選用權利要求1至8之一所述的方法對反應裝置進行處理。