[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410171329.4
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN104700883B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 金昌鉉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

一種半導體器件包括初步內部刷新信號發生器和內部刷新信號發生器。初步內部刷新信號發生器在刷新操作期間接收第一周期信號，以產生包括周期性產生的脈沖的初步內部刷新信號。內部刷新信號發生器在刷新操作期間接收第二周期信號，以產生通過初步內部刷新信號的脈沖來順序地使能的第一內部刷新信號和第二內部刷新信號。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年12月10日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0152723的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

本公開的實施例涉及半導體器件。

背景技術

近來，隨著移動產品的發展，越來越需要低功率的動態隨機存取存儲器(DRAM)器件。具體地，已經研究了在移動產品中使用的DRAM器件來減小在刷新操作期間流動的電流。

半導體存儲器件之中的DRAM器件與靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件或快閃存儲器件相比，即使在電源施加至其時，也可能隨著時間的流逝而丟失儲存在其存儲器單元中的數據。

為了穩定地且持續地保持DRAM單元中的數據，DRAM器件主要伴隨有用于周期性地將數據重新寫入DRAM單元的操作。這種操作通常被稱作“刷新”操作。

發明內容

根據各種實施例，一種半導體器件包括：初步內部刷新信號發生器和內部刷新信號發生器。初步內部刷新信號發生器適用于在刷新操作期間響應于刷新終止命令信號而接收第一周期信號，以產生包括周期性產生的脈沖的初步內部刷新信號。內部刷新信號發生器適用于在刷新操作期間接收第二周期信號，以產生通過初步內部刷新信號的脈沖來順序地使能的第一內部刷新信號和第二內部刷新信號。

根據各種實施例，一種半導體器件包括：周期信號發生器和刷新信號發生器。周期信號發生器適用于產生響應于刷新命令信號而周期性觸發的第一周期信號和第二周期信號。刷新信號發生器適用于從刷新命令信號被輸入至周期信號發生器的時間點起到刷新終止命令信號被輸入的時間點，產生通過第一周期信號和第二周期信號來順序地使能的第一內部刷新信號和第二內部刷新信號。

根據一個實施例，一種半導體器件包括周期信號發生器，所述周期信號發生器被配置成接收刷新命令信號，以產生在刷新操作期間周期性觸發的第一周期信號和第二周期信號。所述半導體器件還包括初步內部刷新信號發生器，所述初步內部刷新信號發生器被配置成接收第一周期信號以在刷新終止命令信號之前產生初步內部刷新信號。另外，所述半導體器件還包括內部刷新信號發生器，所述內部刷新信號發生器被配置成接收第二周期信號以產生通過初步內部刷新信號來使能的第一內部刷新信號至第四內部刷新信號。

根據一個實施例，所述半導體器件還包括多個存儲體，所述多個存儲體被配置成當第一內部刷新信號至第四內部刷新信號被使能時執行刷新操作。

附圖說明

圖1是說明根據本公開的各種實施例的半導體器件的框圖；

圖2是說明圖1的半導體器件中包括的周期信號發生器的框圖；

圖3是說明圖1中所示的半導體器件的刷新信號發生器中包括的初步內部刷新信號發生器的框圖；

圖4是說明圖1中所示的半導體器件的刷新信號發生器中包括的內部刷新信號發生器的框圖；

圖5是說明圖1的半導體器件中包括的內部電路的框圖；

圖6是說明根據本公開的各種實施例的半導體器件的操作的時序圖；以及

圖7說明使用根據本發明的一個實施例的存儲器控制器電路的系統的框圖。

具體實施方式