[發明專利]一種多層堆積的金屬遮光薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201410170928.4 | 申請日： | 2014-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103943643B | 公開（公告）日： | 2017-03-15 |
| 發明（設計）人： | 洪齊元;黃海 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多層 堆積 金屬 遮光 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種多層堆積的金屬遮光薄膜，其特征在于：包括交替涂覆在器件晶圓上的至少一個金屬鋁薄膜和至少一個金屬鎢薄膜；所述金屬遮光薄膜的總厚度為2000～4000埃米。
2.根據權利要求1所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：照射到所述最上層金屬遮光薄膜的入射光波長范圍為350～770納米。
3.根據權利要求1所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：所述每層金屬鋁薄膜的厚度范圍為500～2000埃米；所述每層金屬鎢薄膜的厚度范圍為500～2000埃米。
4.根據權利要求1～3任一所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：所述金屬鋁薄膜的折射率均為0.8～0.9；所述金屬鎢薄膜的折射率均為0.7～0.8。
5.一種多層堆積的金屬遮光薄膜的制備工藝，包括以下步驟：
(1)在器件晶圓的表面，采用物理氣相沉積方法沉積一層金屬鋁薄膜，所述金屬鋁薄膜的厚度為500～2000埃米；
(2)在所述金屬鋁薄膜的上表面，采用化學氣相沉積方法沉積一層金屬鎢薄膜，所述金屬鎢薄膜的厚度為500～2000埃米；
(3)重復上述兩個步驟，交替沉積金屬鋁薄膜和金屬鎢薄膜，直至所述形成的金屬遮光薄膜的總厚度達到2000～4000埃米。
6.根據權利要求5所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：所述金屬遮光薄膜用于反射照射在其上的波長范圍為350～770納米的入射光。
7.根據權利要求5或6所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：所述金屬鋁薄膜的沉積溫度為200～400℃，射頻功率為200～1000W。
8.根據權利要求5或6所述的金屬遮光薄膜，其特征在于：采用六氟化鎢氣體沉積所述金屬鎢薄膜，所述六氟化鎢氣體的流速為30～100sccm，沉積溫度為300～400℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
