[發明專利]一種寬光譜雙層透明導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201410170858.2
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN103938172A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 朱麗萍;張翔宇
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;H01B5/14;B32B27/06;B32B9/04
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種寬光譜雙層透明導電薄膜，其特征在于自下而上依次為柔性襯底（1），ZnO薄膜（2）和ZnO:F薄膜（3），其中，ZnO:F薄膜的F與Zn的原子比為1%～5%。

2.根據權利要求1所述的寬光譜雙層透明導電薄膜，其特征在于所述的柔性襯底為聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺。

3.根據權利要求1所述的寬光譜雙層透明導電薄膜，其特征在于所述的ZnO薄膜的厚度為50～100nm。

4.根據權利要求1所述的寬光譜雙層透明導電薄膜，其特征在于所述的ZnO:F薄膜的厚度為100～200nm。

5.一種制備權利要求1所述的寬光譜雙層透明導電薄膜的方法，其特征是采用磁控濺射法，包括如下步驟：

1）將柔性襯底經超聲清洗后吹干，放在磁控濺射設備的襯底托盤上；

2）以純ZnO陶瓷靶為靶材，加熱襯底至50～150℃，抽真空至真空度至少為4×10^-6Torr，向生長室中通入純Ar，并調節生長氣壓至1～10mTorr，濺射功率為80～200W，磁控濺射ZnO薄膜；

3）以F與Zn的原子比為1%～5%的陶瓷靶為靶材，抽真空至真空度至少為4×10^-6Torr，向生長室中通入純Ar，生長氣壓為1～10mTorr，加熱至溫度為50～150℃，在步驟2）制得的ZnO薄膜上磁控濺射F摻雜ZnO薄膜，濺射功率為80～200W。