[發明專利]場效應晶體管液體傳感器及其制備方法在審
| 申請號： | 201410169651.3 | 申請日： | 2014-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103928525A | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發明（設計）人： | 羅衛軍;陳曉娟;袁婷婷;龐磊;劉新宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海蓮 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 液體 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種場效應晶體管液體傳感器，其特征在于，該傳感器為單柵指場效應晶體管結構，包括：
襯底；
襯底上的異質結，所述異質結為由GaN和AlGaN材料形成；
所述異質結上的源電極、漏電極以及柵電極，柵電極為肖特基電極，源電極、漏電極為歐姆接觸電極。
2.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述異質結包括GaN層、AlGaN層和他們之間的AlN的插入層。
3.根據權利要求2所述的傳感器，其特征在于，所述GaN層、AlN的插入層和AlGaN層的厚度分別為3um、1nm、23nm。
4.根據權利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述AlGaN層中Al組分為25％。
5.一種場效應晶體管液體傳感器的制備方法，其特征在于，該傳感器為單柵指場效應晶體管結構，包括步驟：
提供襯底；
在所述襯底上形成異質結，所述異質結為由GaN和AlGaN材料形成；
在所述異質結上形成源電極、漏電極以及柵電極，柵電極為肖特基電極，源電極、漏電極為歐姆接觸電極。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為SiC襯底，采用金屬有機物氣相外延的方法在SiC襯底上依次外延生長GaN層、AlN的插入層和AlGaN層，以形成異質結。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述GaN層、AlN的插入層和AlGaN層的厚度分別為3um、1nm、23nm。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述AlGaN層中Al組分為25％。
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