[發明專利]一種數字移相器在審
| 申請號： | 201410169560.X | 申請日： | 2014-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103944534A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 羅衛軍;陳曉娟;袁婷婷;龐磊;劉新宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H03H11/16 | 分類號： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 北京維澳專利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海蓮 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 數字 移相器 | ||
【權利要求書】：
1.一種數字移相器，其特征在于，該數字移相器的開關器件為具有GaN基異質結的高電子遷移率場效應晶體管，該場效應晶體管的異質結上設置有肖特基接觸電極和歐姆接觸電極。
2.根據權利要求1所述的數字移相器，其特征在于，該數字移相器采用加載線式結構的數字移相電路。
3.根據權利要求2所述的數字移相器，其特征在于，該數字移相電路的主傳輸線的電長度為π/2，兩段分支傳輸線的長度相等。
4.根據權利要求3所述的數字移相器，其特征在于，該數字移相器的相移量為22.5°。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的數字移相器，其特征在于，所述異質結為由GaN和AlGaN材料形成。
6.根據權利要求5所述的數字移相器，其特征在于，GaN和AlGaN材料間還形成有AlN的插入層。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410169560.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
