[發明專利]具有微透鏡的高效太陽能電池及其形成方法

有效

• 申請號: 201410169477.2
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN104835862B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 蔡家弘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于形成太陽能電池的方法，所述方法包括：

提供位于太陽能電池子結構上方的第一透明導電氧化物(TCO)層；

在所述第一透明導電氧化物層上形成圖案化的犧牲層；

在所述第一透明導電氧化物層上方和所述圖案化的犧牲層的一部分上方形成第二透明導電氧化物層；以及

去除所述圖案化的犧牲層，從而在所述第一透明導電氧化物層上方形成所述第二透明導電氧化物層的多個離散部分；

其中，所述圖案化的犧牲層包括多個位于所述第一透明導電氧化物層的上表面上的結構部件，并且形成所述第二透明導電氧化物層的步驟并未完全封裝所述結構部件。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在去除所述圖案化的犧牲層步驟之后用酸處理所述第二透明導電氧化物層的離散部分，從而產生所述離散部分的凸形的上表面。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述圖案化的犧牲層具有第一高度而所述第二透明導電氧化物層具有小于所述第一高度的第二高度，從而形成所述第二透明導電氧化物層的步驟使得部分所述圖案化的犧牲層暴露。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層包括光刻膠，并且形成所述圖案化的犧牲層的步驟包括涂覆所述光刻膠的層以及使用光掩模和光刻曝光工藝。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述光刻曝光工藝包括使用紫外線曝光并且曝光時間介于10秒至100秒之間，還包括使用丙酮進行顯影。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，所述光掩模包括橫向尺寸為10nm至500nm的不透光部件，并且以100nm至500nm的距離將所述不透光部件間隔開。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，去除所述圖案化的犧牲層的步驟還去除所述第二透明導電氧化物層中設置在所述圖案化的犧牲層的所述一部分上方的部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一透明導電氧化物層和所述第二透明導電氧化物層由相同的透明導電氧化物材料形成，所述透明導電氧化物材料包括氧化硼鋅(BZO)、氧化鋁鋅(AZO)、本征氧化鋅(i-ZnO)、氧化銦錫(ITO)、氟摻雜錫氧化物(FTO)和摻雜氧化鋅中的一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述太陽能電池子結構包括CIGSS吸收層以及位于所述吸收層和所述第一透明導電氧化物層之間的緩沖層。