[發明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201410168649.4 | 申請日: | 2014-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN104851934B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 陳世偉 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/052 | 分類號: | H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光伏太陽能電池的制造。
背景技術
太陽能電池是通過光伏效應由陽光直接產生電流的電子器件。太陽能電池包括位于正面接觸層和背面接觸層之間的吸收層。吸收層吸收光以將其轉化成電流。正面接觸層和背面接觸層幫助光捕獲以及光電流提取,并且提供到太陽能電池的電接觸。
太陽能電池的性能取決于器件操作的條件。包括器件溫度、輻照度級、光譜分布、濕度和氧氣的因數通常影響性能。特別地,室外操作器件可能遭受熱降解。由于對清潔能源需求的增長,出現了各種類型的太陽能器件和子結構,并且不斷地開發各種類型的太陽能器件和子結構以試圖改進太陽能電池的性能。
發明內容
為解決現有技術中的問題,本發明提供了一種太陽能電池,包括:襯底;高導熱層,位于所述襯底上方;背面接觸件,位于所述高導熱層上方;吸收件,位于所述背面接觸件上方;以及正面接觸件,位于所述吸收件上方。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層位于所述襯底上。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層包括比所述襯底的材料具有更大導熱率的材料。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層的導熱率為約30W/(m·K)以上。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層的導熱率為約200W/(m·K)以上。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層的電阻率為約1.00E+11Ω·m以上。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層包括薄膜。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱層包括堆疊納米顆粒。
在上述太陽能電池中,還包括延伸穿過所述吸收層和所述正面接觸件的P3劃線,以及位于所述P3劃線內的高導熱填料。
根據本發明的另一個方面,提供了一種太陽能電池,包括:襯底;背面接觸件,位于所述襯底上方;吸收件,位于所述背面接觸件上方;正面接觸件,位于所述吸收件上方;以及劃線,延伸穿過所述吸收件和所述正面接觸件,其中,所述劃線包括位于所述劃線中的高導熱填料。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱填料包括堆疊納米顆粒。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱填料包括氧化鋁。
在上述太陽能電池中,其中,所述高導熱填料包括氮化鋁。
根據本發明的又一個方面,提供了一種用于制造太陽能電池的方法,包括:提供襯底;在所述襯底上方沉積背面接觸件;在所述背面接觸件上方沉積吸收件;在所述吸收件上方沉積正面接觸件;以及將高導熱材料嵌入所述太陽能電池內。
在上述方法,其中,所述嵌入步驟包括在所述襯底和所述背面接觸件之間沉積高導熱層。
在上述方法,其中,所述嵌入步驟包括在所述襯底和所述背面接觸件之間沉積高導熱層;通過物理汽相沉積來沉積所述高導熱層。
在上述方法,其中,所述嵌入步驟包括在所述襯底和所述背面接觸件之間沉積高導熱層;通過原子層沉積來沉積所述高導熱層。
在上述方法,還包括劃線P3線,所述P3線延伸穿過所述吸收件和所述正面接觸件;并且其中,所述嵌入步驟包括在所述P3劃線內沉積高導熱填料。
在上述方法,還包括劃線P3線,所述P3線延伸穿過所述吸收件和所述正面接觸件;并且其中,所述嵌入步驟包括在所述P3劃線內沉積高導熱填料;通過噴射所述高導熱材料的納米顆粒沉積所述高導熱填料。
在上述方法,還包括劃線P3線,所述P3線延伸穿過所述吸收件和所述正面接觸件;并且其中,所述嵌入步驟包括在所述P3劃線內沉積高導熱填料;所述嵌入步驟還包括在所述襯底和所述背面接觸件之間沉積高導熱層。
附圖說明
當結合附圖進行閱讀時,通過以下描述可以更好地理解本發明的各個方面。應該注意,根據工業中的標準實踐,各個部件未按比例繪出。事實上,為了清楚的討論,各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
圖1是根據一些實施例的太陽能電池的示意截面圖。
圖2是根據一些實施例的太陽能電池的示意截面圖。
圖3是根據一些實施例的太陽能電池的示意截面圖。
圖4是根據一些實施例的制造太陽能電池的方法的流程圖。
圖5是根據一些實施例的制造太陽能電池的方法的流程圖。
圖6是根據一些實施例的制造太陽能電池的方法的流程圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





