[發明專利]一種基體表面的耐輻照防護涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 201410168406.0
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN103924203A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 汪愛英;馮宗建;柯培玲;張棟;王振玉
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 單英

1.一種基體表面的耐輻照防護涂層，其特征是：所述的防護涂層以Ti₂AlC相為主相結構。

2.如權利要求1所述的基體表面的耐輻照防護涂層，其特征是：所述的防護涂層包括Ti₃AlC雜相和/或TiC雜相。

3.如權利要求1所述的基體表面的耐輻照防護涂層，其特征是：在室溫下以強度為5～10dPa的Au離子對所述的防護涂層進行輻照，所述的防護涂層中的Ti₂AlC相保持穩定。

4.制備如權利要求1至3中所述的基體表面的耐輻照防護涂層的方法，其特征是：選用TiAl合金作為靶材，碳氫氣體作為反應氣體，采用反應磁控濺射的方法在基體表面沉積Ti-Al-C涂層；然后，通過真空熱處理使Ti-Al-C涂層發生固相反應轉變為以Ti₂AlC?MAX相為主相的涂層。

5.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：所述的防護涂層的厚度為1～20μm。

6.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：所述的TiAl合金靶中，Al原子百分比含量為30～60％。

7.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：沉積Ti-Al-C涂層時腔體溫度為25～300℃，腔體壓力為0.1～0.5Pa，濺射電源功率為0.5～3KW，基體偏壓為-50～-400V，沉積時間為1～10小時。

8.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：所述的碳氫氣體包括甲烷、乙炔。

9.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：同時向腔體內通入惰性氣體，其中碳氫氣體占總氣體流量的比例為1～10％。

10.如權利要求4所述的基體表面的耐輻照防護涂層的制備方法，其特征是：所述的真空熱處理時，熱處理爐腔體真空度為0.005～0.1Pa，熱處理溫度為650～850℃，熱處理時間為30～60分鐘。