[發明專利]一種磨料級SiC顆粒表面純凈化處理方法有效
| 申請號： | 201410168392.2 | 申請日： | 2014-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103964439B | 公開（公告）日： | 2018-01-23 |
| 發明（設計）人： | 崔巖;吳本順;楊越;劉峰斌 | 申請（專利權）人： | 北方工業大學 |
| 主分類號： | C01B32/956 | 分類號： | C01B32/956 |
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| 地址： | 100144 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磨料 sic 顆粒 表面 凈化 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種磨料級SiC顆粒表面純凈化處理方法，其特征在于，該方法的操作步驟如下：
(1)選取原始磨料級SiC顆粒，所選取的SiC顆粒為純度在94％以上的顆粒，所選取的SiC顆粒的粒度范圍為1μm～80μm；
(2)超聲處理，將所選取的SiC顆粒與丙酮或無水乙醇配制成質量比為15％～50％的溶液，超聲振蕩30～90min，超聲振蕩過程中輔以加熱、攪拌；
(3)漂洗，將上述溶液靜置1～5min，抽去上層懸浮液，得到下層沉淀的SiC顆粒，用去離子水漂洗3～10遍；
(4)干燥，把以上處理后的SiC顆粒自然風干或者放入60～100℃的干燥箱中進行干燥脫水，干透為止；
(5)氣氛保護高溫處理，把干燥好的SiC顆粒在氣氛保護下進行800～950℃的高溫處理，保溫1～10小時，隨爐冷卻至室溫，得到表面純凈的磨料級SiC顆粒。
2.根據權利要求1所述的一種磨料級SiC顆粒表面純凈化處理方法，其特征在于，步驟(2)所述加熱為低溫加熱，加熱溫度為25～50℃。
3.根據權利要求1所述的一種磨料級SiC顆粒表面純凈化處理方法，其特征在于，步驟(2)所述攪拌為慢速攪拌，攪拌速度為10～50r/min。
4.根據權利要求1所述的一種磨料級SiC顆粒表面純凈化處理方法，其特征在于，步驟(5)所述氣氛保護為氮氣或氬氣氣氛保護。
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