[發明專利]配套接入電流噴射式音頻功率放大器的橋式動態電源

有效

• 申請號: 201410168015.9
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN103944519B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 江山
• 申請（專利權）人: 佛山市順德區龍睿電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/20
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 肖平安

1.配套接入電流噴射式音頻功率放大器的橋式動態電源，其特征在于：包括MOS場效應管M1、MOS場效應管M2、MOS場效應管M3、MOS場效應管M4、電感器L1、電感器L2、金屬化薄膜電容C1、金屬化薄膜電容C2和音頻處理器模塊，所述MOS場效應管M1柵極接音頻處理器模塊的脈寬調制驅動輸出端SPWM1_N，MOS場效應管M1的源極接MOS場效應管M2的漏極和電感器L1的一端，MOS場效應管M1的漏極接電源+Vdd；MOS場效應管M2柵極接音頻處理器模塊的脈寬調制驅動輸出端SPWM1_P，MOS場效應管M2源極接電源-Vss，MOS場效應管M2漏極接MOS場效應管M1源極和電感器L1的一端，電感器L1另一端接金屬化薄膜電容C1和MOS場效應管Q1漏極；MOS場效應管M3柵極接音頻處理器模塊的脈寬調制驅動輸出端SPWM2_N，MOS場效應管M3的源極接MOS場效應管M4的漏極和電感器L2的一端，MOS場效應管M3漏極接電源+Vdd；MOS場效應管M4柵極接音頻處理器模塊的脈寬調制驅動輸出端SPWM2_P，MOS場效應管M4源極接電源-Vss，MOS場效應管M4漏極接MOS場效應管M3源極和電感器L2的一端，電感器L2另一端接金屬化薄膜電容C2和MOS場效應管Q2漏極；所述音頻處理器模塊設置有9個ADC通道用于實時監視和2個DAC通道用于控制電流噴射式功率放大器的工作狀態，上述9個ADC通道分別為ADC1、ADC2、ADC3、ADC4、ADC5、ADC6、ADC7、ADC8和ADC9，上述2個DAC通道分別為DAC1通道和DAC2通道；音頻處理器模塊ADC1連接MOS場效應管Q1漏極用于監視MOS場效應管Q1漏極電壓，音頻處理器模塊ADC4連接MOS場效應管Q2漏極用于監視MOS場效應管Q2漏極電壓，音頻處理器模塊ADC2連接MOS場效應管Q1源極用于監視MOS場效應管Q1的Ids電流，音頻處理器模塊ADC3連接MOS場效應管Q2源極用于監視MOS場效應管Q2的Ids電流，音頻處理器模塊ADC5和ADC6分別用于探測MOS場效應管Q1和MOS場效應管Q2結溫Tj；音頻處理器模塊DAC1由音頻處理器輸出用于控制MOS場效應管Q1、MOS場效應管Q2的動態偏置電流，音頻處理器模塊DAC2由音頻處理器輸出用于控制功率放大器輸出的中點電位。