[發明專利]碳納米管復合膜

有效

• 申請號: 201410167805.5
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN105097428B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 金元浩;李群慶;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y30/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種碳納米管復合膜，其包括：多根碳納米管和多個半導體顆粒，其特征在于，所述多根碳納米管為由金屬性碳納米管與半導體性碳納米管組成的混合型碳納米管；所述半導體顆粒均勻分布于所述多根碳納米管中，所述半導體顆粒與碳納米管相互連接而形成一導電網絡，所述半導體顆粒為一半導體片，該半導體片為由多個半導體分子層組成的層狀結構，其層數為10～20，所述半導體片的面積為0.1平方微米～5平方微米，所述半導體片的厚度為2納米～20納米。

2.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述半導體顆粒與所述碳納米管接觸而電連接。

3.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述碳納米管的分布密度為5根每平方微米～15根每平方微米。

4.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管。

5.如權利要求4所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述碳納米管為純的半導體性碳納米管。

6.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述碳納米管呈無序分布，部分的碳納米管通過范德華力相互吸引、纏繞或搭接。

7.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述半導體顆粒的材料為MoS₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、BN、MnO₂、ZnO、MoSe₂、MoTe₂、TaSe₂、NiTe₂、Bi₂Te₃中的一種或其組合。

8.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述半導體顆粒的分布密度為5個每平方微米～10個每平方微米。

9.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述半導體片在所述碳納米管復合膜中所占的面積為30％～50％。

10.如權利要求1所述的碳納米管復合膜，其特征在于，所述半導體片的面積為0.1平方微米～3平方微米，所述半導體片的厚度為2納米～10納米。

11.一種碳納米管復合膜，其包括：多根碳納米管和多個半導體顆粒，其特征在于，所述多根碳納米管為由金屬性碳納米管與半導體性碳納米管組成的混合型碳納米管；所述半導體顆粒均勻分布于所述多根碳納米管中，所述半導體顆粒與碳納米管同時參與導電的過程，所述半導體顆粒的分布密度為5個每平方微米～10個每平方微米。