[發(fā)明專利]一種適用于提升太陽電池光電轉換效率的氧化工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410167210.X | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN103985785A | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 梅超;張文;黃治國;張偉;王鵬;柳杉;楊曉琴;殷建安 | 申請（專利權）人： | 上饒光電高科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所 36100 | 代理人： | 楊志宇 |
| 地址： | 334100 江*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 提升 太陽電池 光電 轉換 效率 氧化 工藝 | ||
1.一種適用于提升晶體硅太陽電池光電轉換效率的氧化方法，其特種在于：使用的硅片是電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規(guī)格的P型多晶硅片，常規(guī)酸制絨后再進行的氧化工藝，包括下列步驟：
1、進入階段：溫度810℃，大N2流量5slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力15Pa，時間10min；
2、進槳階段：溫度810℃，大N2流量5slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力15Pa，時間10min；
3、檢漏階段：溫度810℃，大N2流量10slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力-200Pa，時間5min；
4、升溫階段：溫度810℃，大N2流量20slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力15Pa，時間20min；
5、前氧化階段：溫度820℃，大N2流量10slm，O2流量4500sccm，小N2流量0sccm，壓力15Pa，時間4min；
6、沉積階段：溫度810℃，大N2流量10slm，O2流量350sccm，小N2流量1200sccm，壓力15Pa，時間15min；
7、后氧化階段：溫度840℃，大N2流量10slm，O2流量500sccm，小N2流量30sccm，壓力15Pa，時間10min；
8、推進階段：溫度880℃，大N2流量10slm，O2流量4500sccm，小N2流量30sccm，壓力15Pa，時間20min；
9、冷卻階段：溫度800℃，大N2流量10slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力15Pa，時間15min；
10、進槳階段：溫度800℃，大N2流量10slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力-30Pa，時間10min；
11、退出階段：溫度800℃，大N2流量0slm，O2流量0sccm，小N2流量0sccm，壓力5Pa，時間15min。
2.如權利要求1所述的一種適用于提升晶體硅太陽電池光電轉換效率的氧化方法，其特征在于：使用的擴散爐為荷蘭的TEMPRESS，將機臺原裝的工藝氣體質量流量計進行改進，把原裝流量計量程1000sccm改進為5000sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
