[發(fā)明專利]一種夾心結(jié)構(gòu)的電容

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410167200.6
• 申請日: 2014-04-24
• 公開（公告）號: CN103985707A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱偉民;馬曉輝
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫市晶源微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/08
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：包括P襯底，在P襯底上擴散有阱區(qū)，阱區(qū)上淀積有第一電容介質(zhì)，第一電容介質(zhì)上淀積有第一多晶，阱區(qū)、第一電容介質(zhì)和第一多晶構(gòu)成第一電容，阱區(qū)作為第一電容的下極板，第一多晶作為第一電容的上極板，第一電容介質(zhì)作為第一電容的介質(zhì)，阱區(qū)上的擴散區(qū)作為阱區(qū)的上引出端，擴散區(qū)與第一電容介質(zhì)之間有場氧隔開；所述第一多晶之上淀積有第二電容介質(zhì)，第二電容介質(zhì)之上淀積有第二多晶，第一多晶、第二電容介質(zhì)和第二多晶構(gòu)成第二電容，第一多晶作為第二電容的下極板，第二多晶作為第二電容的上極板，第二電容介質(zhì)作為第二電容的介質(zhì)；所述第二多晶之上淀積有第三電容介質(zhì)，第三電容介質(zhì)之上濺射有第一金屬，第二多晶、第三電容介質(zhì)和第一金屬構(gòu)成第三電容，第二多晶作為第三電容的下極板，第一金屬作為第三電容的上極板，第三電容介質(zhì)作為第三電容的介質(zhì)；所述第一金屬之上淀積有第四電容介質(zhì)，第四電容介質(zhì)之上濺射有第二金屬，第一金屬、第四電容介質(zhì)和第二金屬構(gòu)成第四電容，第一金屬作為第四電容的下極板，第二金屬作為第四電容的上極板，第四電容介質(zhì)作為第四電容的介質(zhì)；還包括連接金屬，所述第一、第二、第三、第四電容通過連接金屬連接為一個總電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：所述阱區(qū)為N阱或P阱，當采用N阱時，所述擴散區(qū)為N+擴散區(qū)，當采用P阱時，擴散區(qū)為P+擴散區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：所述阱區(qū)與第一電容介質(zhì)之間增加高摻雜的電容注入。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：所述連接金屬包含第一層連接金屬和第二層連接金屬，所述第一層連接金屬與第一金屬在同一層，第二層連接金屬在第二金屬之上，所述第一層連接金屬包含互不接觸的第Ⅰ連接金屬、第Ⅱ連接金屬和第Ⅲ連接金屬，第二層連接金屬包含互不接觸的第Ⅳ連接金屬和第Ⅴ連接金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：所述第Ⅳ連接金屬經(jīng)第Ⅰ連接金屬與擴散區(qū)連接，第Ⅳ連接金屬經(jīng)第Ⅱ連接金屬與第二多晶連接，第Ⅳ連接金屬直接連接第二金屬，所述第Ⅴ連接金屬經(jīng)第Ⅲ連接金屬分別連接第一金屬和第一多晶。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種夾心結(jié)構(gòu)的電容，其特征在于：所述第Ⅳ連接金屬經(jīng)第Ⅲ連接金屬與第一多晶連接，第Ⅳ連接金屬直接連接第二金屬，所述第Ⅴ連接金屬經(jīng)第Ⅰ連接金屬與擴散區(qū)連接，第Ⅴ連接金屬經(jīng)第Ⅱ連接金屬分別連接第一金屬和第二多晶。