[發明專利]一種電遷移的檢測結構及檢測方法在審
| 申請號： | 201410167096.0 | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN105093086A | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發明（設計）人： | 馮軍宏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 遷移 檢測 結構 方法 | ||
1.一種電遷移的檢測結構，包括電遷移檢測單元和應力電流單元；
所述應力電流單元包括環形振蕩器、電阻器R
其中所述環形振蕩器分別連接至第一電源電壓Vdd1和第二電源電壓Vdd2，所述控制晶體管的源極與所述第一電源電壓Vdd1相連接。
2.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述電遷移檢測單元包括：
待測器件；
第一電源連接端和第二電源連接端，分別和所述待測器件的兩端相連接。
3.根據權利要求2所述的檢測結構，其特征在于，所述電遷移檢測單元還進一步包括金屬通孔，用于將所述第一電源連接端和所述第二電源連接端與所述待測器件的兩端相連接。
4.根據權利要求2所述的檢測結構，其特征在于，所述電阻器R
5.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述環形振蕩器包括3個或以上的奇數個非門，其中所述奇數個非門的輸入端和輸出端首尾相連，形成所述環形振蕩器。
6.根據權利要求5所述的檢測結構，其特征在于，每個所述非門中包括一個NMOS晶體管和一個PMOS晶體管。
7.根據權利要求6所述的檢測結構，其特征在于，其中所述NMOS晶體管的柵極和所述PMOS晶體管的柵極相連，以形成所述非門的輸入端；
所述NMOS晶體管的漏極和所述PMOS晶體管的漏極相連，以形成所述非門的輸出端；
所述NMOS晶體管的源極連接所述第二電源電壓Vdd2，所述PMOS晶體管的源極連接所述第一電源電壓Vdd1。
8.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述電阻器R
9.根據權利要求1所述的檢測結構，其特征在于，所述控制晶體管選用NMOS晶體管，以控制直流電與時間相關電介質擊穿和交流電與時間相關電介質擊穿。
10.一種基于權利要求1至9之一所述的檢測結構的檢測方法，包括：
步驟(a)在所述應力電流單元的兩端施加相同的第一電源電壓Vdd1和第二電源電壓Vdd2，所述控制晶體管處于斷路狀態，所述電阻器R
或步驟(b)在所述應力電流單元的兩端施加大小相同方向相反的第一電源電壓Vdd1和第二電源電壓Vdd2，所述控制晶體管導通，所述電阻器R
11.根據權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟(a)中產生的交流電流的頻率由所述電阻器R
12.根據權利要求10所述的檢測方法，其特征在于，所述步驟(a)中產生的交流電流的上升和下降的時間由所述環形振蕩器中晶體管的溝道寬度決定。
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